类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：-6A
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS = -4.5V，42mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极电荷（Qg）：9.3nC @ VGS = -4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C

DME2284 MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，使其在低电压应用中表现出色，具有非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。
　　其28mΩ的RDS(on)在VGS为-4.5V时可提供高效的电流传输能力，适用于高负载电流的场合。
　　此外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而适用于高频开关应用。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，在高电流和高温环境下仍能保持稳定运行。
　　采用SOT26封装形式，不仅节省空间，还便于表面贴装工艺（SMT）的自动化生产。
　　内置的ESD保护功能提高了器件的可靠性和抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中使用。
　　该器件符合RoHS环保标准，适用于消费电子、便携式设备、工业控制系统等多种应用场景。

DME2284常用于便携式电子设备中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池保护电路。
　　它也可作为负载开关用于DC-DC转换器、电机驱动器和LED照明控制系统中。
　　在工业自动化设备中，DME2284可用于控制继电器、传感器和执行器的电源开关。
　　此外，该MOSFET还广泛应用于通信设备、测试仪器和嵌入式系统中的低电压功率控制电路。

Si2301DS、FDN340P、DMG2999U、AO4407、FDC6303