类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-4.8A
　　导通电阻 RDS(on)：30mΩ @ VGS = -4.5V；40mΩ @ VGS = -2.5V
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223

DME2127 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻，这使得在负载条件下能够实现最小的功率损耗，从而提高整体系统效率。该器件在 -4.5V 的栅极电压下，RDS(on) 仅为 30mΩ，而在更低的 -2.5V 栅极电压下仍能保持在 40mΩ 左右，这使其非常适合用于低电压电源管理系统，例如 5V 或 3.3V 的负载开关控制。
　　此外，DME2127 封装采用 SOT-223 形式，具有良好的热性能，能够有效地将热量从芯片传导到 PCB 上，从而提高器件在高电流工作状态下的稳定性。该封装也符合 RoHS 标准，适合现代环保电子产品的设计要求。
　　另一个显著优势是其较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为 -4.8A，在大多数中等功率应用场景中能够胜任，例如小型电机控制、LED 驱动、电源管理模块等。同时，该器件具备较高的抗静电能力和良好的栅极氧化层稳定性，有助于在复杂电磁环境中保持可靠运行。
　　由于其栅极驱动电压范围较宽（最高可达 ±12V），DME2127 可与多种控制器或逻辑电路兼容，包括微控制器、PWM 控制器和模拟比较器等，从而简化了外围电路的设计并提高了系统的灵活性。

DME2127 主要应用于需要高效能、低功耗、小型化设计的电子产品中。典型应用包括便携式设备的电源管理、电池供电系统的负载开关控制、DC-DC 转换器、电压调节器、电机驱动电路、LED 照明控制系统以及各种工业控制模块。
　　在电池供电设备中，DME2127 可用于实现低功耗待机模式下的电源隔离，从而延长电池寿命。在 DC-DC 转换器中，该器件可作为同步整流器使用，显著提高转换效率。此外，在 LED 驱动电路中，它可用于调光控制或过流保护功能，提高系统的稳定性和安全性。
　　工业控制方面，DME2127 可用于 PLC 输出模块、传感器驱动电路以及电机控制模块中的功率开关，具备较高的可靠性和耐用性。

Si2301DS, FDN304P, AO4403, FDC640P