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DMC3400SDW-7 发布时间 时间:2025/12/26 3:55:14 查看 阅读:16

DMC3400SDW-7 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,具有优良的开关性能和导通电阻特性。该器件主要设计用于高效率的电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的功率控制。其小型化的 SOT-363 封装(也称为 SC-88)使其非常适合对空间要求严格的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端设备。DMC3400SDW-7 在低栅极驱动电压下仍能实现良好的导通特性,支持逻辑电平驱动,适用于 1.8V、3.3V 和 5V 控制系统,具备良好的兼容性和易用性。此外,该器件符合 RoHS 环保标准,无卤素,适合现代绿色电子制造工艺。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  封装/包:SOT-363(SC-88)
  通道数:2(双通道)
  漏源电压(Vds):30V
  连续漏极电流(Id):600mA(每通道)
  脉冲漏极电流(Idm):2.4A
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):35mΩ(典型值,Vgs=10V);45mΩ(典型值,Vgs=4.5V);60mΩ(典型值,Vgs=2.5V)
  阈值电压(Vgs(th)):1.0V ~ 2.0V
  输入电容(Ciss):27pF(典型值,Vds=15V, Vgs=0V)
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  功耗(Pd):500mW

特性

DMC3400SDW-7 采用高性能沟槽型 MOSFET 工艺,实现了极低的导通电阻与优异的开关速度之间的平衡,特别适合在低电压、中等电流的应用场景中高效运行。其双通道结构允许在单个封装内集成两个独立的 N 沟道场效应管,显著节省了 PCB 布局空间,提高了系统集成度。每个通道均可独立控制,适用于需要多路开关控制的设计需求。该器件在低至 2.5V 的栅极驱动电压下仍能保持较低的 Rds(on),确保在电池供电系统中即使电压下降也能维持良好的导通性能,从而提高整体能效。
  该器件的输入电容较小,有助于减少驱动电路的功耗,并加快开关响应时间,降低开关损耗,提升电源转换效率。其阈值电压范围适中,避免了因噪声干扰导致的误开启问题,同时保证了与数字逻辑电路的良好匹配性。热稳定性方面,DMC3400SDW-7 具备良好的热关断特性,在过温条件下能够有效限制电流,保护自身及后级电路安全。封装采用符合 JEDEC 标准的 SOT-363,支持自动贴片生产,焊接可靠性高,适合大规模工业化生产。
  此外,该器件通过了严格的可靠性测试,包括高温工作寿命测试(HTOL)、温度循环测试(TCT)和高压蒸煮试验(PCT),确保在复杂环境下的长期稳定运行。其无铅、无卤素的环保设计满足现代电子产品对有害物质限制的要求,适用于消费类电子、工业控制和汽车电子等多种领域。总体而言,DMC3400SDW-7 凭借其小尺寸、高性能和高可靠性,成为众多低功耗、高密度电源设计的理想选择。

应用

DMC3400SDW-7 广泛应用于各类需要小型化、高效率功率开关的电子设备中。典型应用场景包括便携式电子产品的电源管理模块,如智能手机和平板电脑中的背光驱动、摄像头模组供电控制、USB 接口电源开关以及显示屏电源切换等。在 DC-DC 同步整流电路中,它可作为低边开关使用,配合控制器实现高效的降压转换。此外,该器件也常用于电池供电系统的负载开关设计,用于切断闲置模块的供电以延长续航时间。
  在工业控制领域,DMC3400SDW-7 可用于传感器信号调理电路中的模拟开关、继电器驱动电路或小型电机的驱动单元。其双通道结构特别适合需要两路独立控制的场合,例如 LED 双色灯驱动或双路电源路径管理。在通信设备中,可用于 RF 功放的偏置控制或天线调谐开关。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力,也可应用于汽车电子中的车载信息娱乐系统、车内照明控制或远程无钥匙进入模块等非关键动力系统中。
  此外,随着物联网设备的发展,越来越多的小型化智能节点需要高效且紧凑的电源解决方案,DMC3400SDW-7 凭借其 SOT-363 封装和低功耗特性,成为这些设备中电源开关和状态切换的理想元件。无论是用于主板上的电源域隔离,还是用于外设接口的热插拔保护,该器件都能提供可靠而高效的性能支持。

替代型号

DMG3400SSS-7,DMP3400SDW-7

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DMC3400SDW-7参数

  • 现有数量194,249现货126,000Factory
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.63106卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置N 和 P 沟道
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)650mA,450mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)400 毫欧 @ 590mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)55pF @ 15V
  • 功率 - 最大值310mW
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装SOT-363