DMC3350LDW是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺设计,主要用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低功耗。此外,其封装形式经过优化,具备良好的散热性能,适用于高功率密度的设计需求。
DMC3350LDW采用了N沟道增强型场效应晶体管技术,支持高频工作模式,并且在高温环境下依然可以保持稳定的性能表现。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):41A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷(Qg):57nC
输入电容(Ciss):1890pF
输出电容(Coss):115pF
反向传输电容(Crss):11.5pF
结温范围(Tj):-55°C至+175°C
封装形式:TO-263(DPAK)
DMC3350LDW的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可有效减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,有助于减小无源元件尺寸。
3. 高雪崩能力,能够在异常条件下提供更好的保护。
4. 内置ESD保护电路,提高了产品的可靠性和耐用性。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 良好的热稳定性,在高温环境下的性能依旧出色。
7. 封装紧凑,易于集成到各种印刷电路板中,适合空间受限的应用场景。
DMC3350LDW广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 各类电机驱动电路,例如步进电机或无刷直流电机控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
5. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统(BMS)。
6. 充电器、适配器以及其他消费类电子产品的高效功率转换方案。
7. 太阳能逆变器和储能系统中的功率管理模块。
DMC3351LDS, DMC3352LDQ, IRFZ44N, FDP5500