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DMC3028LSD-13 发布时间 时间:2025/7/1 7:10:58 查看 阅读:6

DMC3028LSD-13是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的半导体制造工艺。该器件主要应用于高效率、高频开关电源和电机驱动等领域,具有低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力。
  这款功率MOSFET采用了N沟道增强型设计,适合在大电流负载条件下工作,同时具备优秀的热稳定性和可靠性。其封装形式为LSD-13,能够有效提升散热性能并简化电路设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:45nC
  开关时间:10ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

DMC3028LSD-13具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,可减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关特性,适合高频应用场合。
  3. 良好的热性能,能够承受较高的结温。
  4. 稳定的工作状态,在极端环境下仍能保持可靠的性能。
  5. 小型化封装设计,有助于节省PCB空间。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料制作。

应用

该芯片广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动。
  3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  4. 新能源汽车内的DC/DC转换器。
  5. 太阳能逆变器和其他绿色能源相关产品。
  6. 快速充电适配器等消费类电子产品。

替代型号

DMC3025LSD-13
  IRFZ44N
  STP30NF06L

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DMC3028LSD-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.5A,5.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds472pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMC3028LSD-13DITR