DMC3025LSD-13 时间：2025/12/26 3:51:57 阅读：13

DMC3025LSD-13是一款由Diodes Incorporated生产的双通道N沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造。该器件专为高效率、高密度电源管理应用而设计，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，能够显著降低功率损耗并提高系统整体效率。DMC3025LSD-13集成两个相同的N沟道MOSFET在单一的封装内，适用于同步整流、负载开关、电机驱动以及DC-DC转换器等应用场景。其小型化6引脚SOT-363（SC-88）封装非常适合空间受限的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和电池供电系统。该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性与可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外，DMC3025LSD-13还具有低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），有助于减少驱动损耗并提升高频开关性能，是现代高效能电源设计中的理想选择之一。

参数

型号：DMC3025LSD-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　连续漏极电流(ID)：2.7A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：10.8A
　　导通电阻RDS(on)（最大值）：34mΩ @ VGS=10V, 38mΩ @ VGS=4.5V
　　栅源阈值电压(VGS(th))：1V ~ 2V
　　栅极电荷(Qg)：8nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：400pF @ VDS=15V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-363 (SC-88)
　　安装类型：表面贴装(SMT)

特性

DMC3025LSD-13采用先进的TrenchFET工艺技术，这种结构通过优化沟道设计和电场分布，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其核心优势在于低RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为34mΩ，在VGS=4.5V时为38mΩ，这一性能使得器件在中低电压电源系统中表现出色，尤其是在需要大电流输出但功耗敏感的应用中，能有效减少I2R损耗，提高能源利用效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg=8nC）和输入电容（Ciss=400pF），这不仅降低了驱动电路所需的能量，也提升了高频开关操作下的动态响应能力，减少了开关过渡时间，从而降低开关损耗。这对于工作频率较高的DC-DC变换器尤为重要，有助于实现更高的功率密度和更小的外围元件尺寸。
　　该MOSFET的双通道配置允许在半桥或同步整流拓扑中作为上下管使用，或者独立用于双路负载控制。每个通道都经过严格匹配，确保一致性良好，避免因参数差异导致的不平衡问题。SOT-363小型封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的散热性能，结合合理的布局设计可以满足大多数便携式设备的热管理需求。器件支持-55°C至+150°C的工作结温范围，展现出卓越的环境适应性和长期运行稳定性。同时，它具备较强的抗静电能力（HBM ESD rating ≥ 2kV），增强了在生产装配和现场使用中的鲁棒性。由于其符合RoHS指令且不含卤素，DMC3025LSD-13适用于对环保要求严格的消费类电子产品。总体而言，这款双N沟道MOSFET集高性能、小尺寸与高可靠性于一体，是现代高效电源架构中极具竞争力的解决方案之一。

应用

DMC3025LSD-13广泛应用于各类便携式和高能效电子产品中。其主要用途包括同步降压变换器中的上下桥臂开关，尤其适合用于低压输入（如5V或3.3V）转1.8V/1.2V等核心电压的DC-DC转换模块。在电池供电系统中，该器件可用于电源路径管理与负载开关控制，实现快速开启/关闭外设电源以节省能耗。此外，它也被广泛用于LED背光驱动电路、USB电源开关、电机驱动单元以及各种小型电机或电磁阀的控制电路中。由于其具备良好的开关速度和低静态功耗，因此在待机模式下也能保持高效的能量利用率，非常适配智能手机、平板电脑、智能手表、无线耳机等可穿戴设备中的电源管理系统。在工业领域，该器件可用于传感器模块、低功耗微控制器供电单元以及嵌入式控制系统中的信号切换与功率控制环节。其紧凑的SOT-363封装使其成为高度集成化PCB设计的理想选择，特别是在追求轻薄化与微型化的终端产品中表现突出。得益于其稳定的电气特性和宽泛的工作温度范围，DMC3025LSD-13同样适用于汽车电子中的非动力总成类低压应用，例如车载信息娱乐系统的电源调节、内部照明控制等场景。