DMC2450UV是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关和功率转换领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能,非常适合用于需要高效能和高可靠性的电路设计中。
DMC2450UV的封装形式通常为TO-252(DPAK),具有较小的体积和良好的散热特性。其主要特点包括耐高压能力、低栅极电荷以及较高的电流承载能力,使其在各种电源管理应用中表现出色。
最大漏源电压Vds:100V
最大栅源电压Vgs:±20V
漏极电流Id:36A
导通电阻Rds(on):4.5mΩ(在Vgs=10V时)
栅极电荷Qg:29nC
总电容Ciss:1680pF
输入电容Ciss:1680pF
输出电容Coss:137pF
反向传输电容Crss:42pF
结温范围Tj:-55°C to +175°C
DMC2450UV具有非常低的导通电阻,仅为4.5mΩ,这显著降低了功率损耗并提升了效率。此外,该器件的栅极电荷较低,仅为29nC,使得驱动功耗更低,开关速度更快。
其漏源电压额定值为100V,能够承受较高的电压波动,适用于多种不同的应用场景。同时,该器件的漏极电流高达36A,可以满足大功率设备的需求。
该MOSFET还具有出色的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作,结温范围从-55°C到+175°C,适合工业和汽车环境。
DMC2450UV的封装形式为TO-252(DPAK),这种封装方式不仅紧凑而且易于安装,同时提供了良好的散热性能。
DMC2450UV广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器,如降压、升压和反激式转换器。
3. 电机驱动刷直流电机(BLDC)。
4. 充电器模块,尤其是快速充电解决方案。
5. 汽车电子系统,例如车身控制模块和LED驱动。
6. 工业自动化设备中的功率开关和保护电路。
由于其高性能和可靠性,DMC2450UV成为了许多工程师在设计高效能功率转换电路时的首选。
IRF2450
STP100NF06
FDP18N10
IXFH10N100