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DMC1030UFDB 发布时间 时间:2025/12/23 23:04:25 查看 阅读:8

DMC1030UFDB是一款基于MOSFET技术的高效功率晶体管,专为高频开关应用而设计。其采用先进的制程工艺和封装技术,具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,广泛适用于电源转换、电机驱动及负载切换等领域。
  该器件支持高电流密度操作,并且具备良好的电气稳定性,在各种工作条件下均能保持高性能表现。

参数

型号:DMC1030UFDB
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源极电压):30V
  RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,@ VGS=10V)
  ID(持续漏极电流):120A
  VGS(th)(阈值电压):2.8V(最大值)
  Qg(总栅极电荷):67nC
  EAS(雪崩能量):1.2J
  封装:UFDB
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

DMC1030UFDB的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速开关能力,适合高频应用场景,能够减少开关损耗。
  3. 高电流承载能力,支持大功率负载操作。
  4. 良好的热性能,确保在极端条件下的稳定运行。
  5. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于高密度布局。
  6. 高可靠性,满足汽车级及工业级应用需求。
  这些特点使得该器件成为多种电力电子设备的理想选择。

应用

DMC1030UFDB适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如AC-DC适配器、USB-PD充电器等。
  2. DC-DC转换器,用于电池管理系统或分布式电源架构。
  3. 电机驱动电路,例如电动车窗、电动座椅等。
  4. 工业控制中的负载切换和保护电路。
  5. 电信设备中的电源管理模块。
  凭借其优异的性能和广泛的适用性,DMC1030UFDB成为众多工程师首选的功率器件之一。

替代型号

DMC1030UFDF, DMC1030UFDH

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