型号：DMC1017UPD-13
　　制造商：Diodes Incorporated
　　器件类型：双P沟道MOSFET
　　封装类型：DFN1212-6
　　通道数：2
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-1.8A（单通道）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-3.6A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压(VGS(th))：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：220pF（@ VDS=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　热阻θJA：250°C/W
　　热阻θJC：60°C/W

DMC1017UPD-13采用先进的TrenchFET工艺技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性。其最大RDS(on)在VGS = -4.5V时仅为45mΩ，这使得器件在大电流应用中能够显著降低传导损耗，提升系统效率。该低RDS(on)特性尤其适用于电池供电系统，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，有助于延长电池续航时间。此外，该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好性能，例如在VGS = -2.5V时RDS(on)为55mΩ，支持现代低压逻辑控制接口，兼容1.8V、2.5V或3.3V的微控制器输出，无需电平转换或电荷泵辅助，从而简化了电路设计并节省了PCB空间。
　　该MOSFET具有优良的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss ≈ 220pF），使其在高频开关应用中表现出色。快速的开启和关断能力减少了开关过渡时间，从而降低了动态功耗，提升了电源系统的响应速度。这一特性在负载开关或热插拔电路中尤为重要，可以有效抑制浪涌电流并实现精确的电源控制。此外，双通道独立控制的设计允许用户对两个不同的电源域进行独立管理，增强了系统的灵活性与安全性。
　　DMC1017UPD-13的DFN1212-6封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能。底部裸露焊盘设计有助于将热量高效传导至PCB，提升功率处理能力。该封装无铅且符合RoHS指令要求，适合自动化表面贴装工艺。器件还具备良好的ESD防护能力，HBM模型下可达±2kV，增强了在生产与使用过程中的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（最高+150°C）确保在高温环境下依然可靠运行，适用于严苛的工业与消费类应用场景。

DMC1017UPD-13广泛应用于需要高效、小型化电源管理解决方案的便携式电子产品中。典型应用包括移动设备中的电池电源开关，用于控制主电池向不同子系统（如显示屏、无线模块或传感器）的供电通断，以实现节能待机或安全关断功能。在USB电源开关电路中，该器件可用于过流保护和热插拔控制，防止因瞬态电流冲击损坏主机端口。此外，它也常被用于DC-DC转换器的同步整流或高端开关配置中，特别是在负压生成电路或反激式拓扑中作为控制元件。
　　在多电源域管理系统中，双P沟道结构允许其作为高端开关直接控制正电压的通断，避免了N沟道MOSFET所需的复杂栅极驱动电路。因此，它非常适合用于处理器核心电压调节、内存电源切换以及FPGA或ASIC的上电时序控制。在手持医疗设备、智能手表、蓝牙耳机等对尺寸和功耗极为敏感的产品中，DMC1017UPD-13凭借其小封装和低静态功耗成为理想选择。
　　此外，该器件还可用于LED背光驱动电路中的开关控制，通过PWM信号调节亮度；也可作为通用信号开关，在模拟或数字信号路径中实现隔离与路由。其高集成度和可靠性也使其适用于工业传感器模块、IoT终端节点以及无线充电接收器等新兴领域。总之，凡涉及低压、低功耗、高密度布局的开关控制场合，DMC1017UPD-13均能提供高性能且经济有效的解决方案。

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　　 "DMG1017U-7",
　　 "SI2301-ADJ",
　　 "AO3401A",
　　 "FDMC86102",
　　 "BSS84"
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