时间：2025/8/5 14:18:07
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DLA100B1200LB-TUB 是一款由 Dynex Semiconductor（现为 Mitsubishi Electric 的一部分）制造的高功率双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），主要用于高功率开关和放大应用。该器件基于硅（Si）材料制造，采用 TO-247 封装，具有较高的电流和电压耐受能力，适合在电力电子、工业控制和电源转换系统中使用。
类型：NPN 双极性晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：1200V
最大集电极电流（IC）：100A
最大功耗（PD）：300W
增益（hFE）：约 15（最小值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
引脚数：3
DLA100B1200LB-TUB 是一款专为高功率应用设计的晶体管，其主要特性包括高达 1200V 的集电极-发射极击穿电压和 100A 的最大集电极电流，能够承受高功率负载。该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于高温环境下的工作。其 TO-247 封装提供了良好的散热性能，适合在大功率电源和工业控制系统中使用。
此外，该晶体管的增益（hFE）约为 15，在高电流条件下仍能保持稳定的放大性能。这种高电流增益特性使其适用于需要高驱动能力的电路设计。器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，具备较强的环境适应能力，适用于各种恶劣工作条件下的应用。
在功率晶体管领域，DLA100B1200LB-TUB 具备较高的耐用性和稳定性，能够在高电压和高电流环境下长时间运行，同时保持较低的导通压降（VCEsat），从而减少功率损耗，提高系统效率。
DLA100B1200LB-TUB 常用于高功率开关电路、电机控制、逆变器、UPS（不间断电源）、焊接设备和电力调节系统。由于其高耐压和高电流能力，该器件非常适合用于工业电源转换和控制应用，如变频器、DC-AC 转换器以及高压直流电源系统。此外，该晶体管也可用于高功率音频放大器、电子负载和测试设备中，以提供稳定可靠的功率输出。
DLA100B1200LB-BFM1、DLA100B1200LB-BFM2、IXGH100N120T、IXGH100N120T2
