时间:2025/12/26 8:54:31
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DL4001-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123FL小型封装。该器件专为高效率、低电压整流应用设计,广泛用于便携式电子设备、电源管理电路以及高频开关系统中。由于其具备较低的正向电压降和快速的反向恢复时间,DL4001-13-F在提升系统能效方面表现优异。该二极管适用于需要紧凑尺寸和高性能的现代电子产品,如智能手机、平板电脑、无线充电器、DC-DC转换器及各类消费类电子电源模块。此外,其符合RoHS环保标准,并通过了无铅认证,适合无铅焊接工艺,满足当前主流电子制造的环保要求。产品命名中的“-13-F”通常代表卷带包装形式,适用于自动化贴片生产流程,提高了大规模制造的效率与可靠性。
产品类型:肖特基二极管
封装/外壳:SOD-123FL
是否无铅:是
是否符合RoHS:是
最大重复反向电压(VRRM):40V
平均正向整流电流(IF(AV)):1A
峰值正向浪涌电流(IFSM):30A
最大正向电压(VF)@ 1A:550mV @ 1A
最大反向漏电流(IR)@ 40V:500μA @ 40V
反向恢复时间(trr):典型值5ns
工作结温范围:-65°C 至 +125°C
热阻抗(RθJA):约200°C/W
安装类型:表面贴装(SMD)
包装方式:卷带(Tape and Reel)
DL4001-13-F的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,典型值仅为550mV,在1A电流下显著低于传统PN结二极管,这直接降低了功率损耗并提升了整体系统效率。这种低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备中,有助于延长续航时间。同时,该器件具备非常快的反向恢复时间,典型值仅5纳秒,能够在高频开关环境中有效抑制反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰,从而提高电源系统的稳定性和可靠性。在实际应用中,这意味着它可以在DC-DC转换器、同步整流辅助电路或反极性保护电路中发挥出色性能。
DL4001-13-F采用SOD-123FL超小型表面贴装封装,外形尺寸仅为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm,极大地节省了PCB布局空间,特别适合高密度集成的便携式电子产品设计需求。尽管体积小巧,但其仍能承受高达30A的峰值浪涌电流,展现出良好的瞬态过载能力,增强了电路对突发电流冲击的耐受性。此外,该器件的最大重复反向电压为40V,适用于中低压应用场景,例如USB电源路径管理、锂电池充放电控制以及各类适配器电源输出端的整流任务。
该二极管的工作结温范围宽达-65°C至+125°C,表明其具有较强的环境适应能力,可在较恶劣的温度条件下稳定运行。其热阻抗约为200°C/W,意味着在无额外散热措施的情况下也能有效散发内部产生的热量,避免因温升导致性能下降或失效。所有材料均符合RoHS指令要求,并且支持无铅回流焊工艺,兼容现代绿色制造流程。综合来看,DL4001-13-F以其高效、紧凑、可靠的特点,成为众多电源管理设计中的理想选择。
DL4001-13-F被广泛应用于多种电子系统中,尤其是在对空间和能效有严格要求的设计场景下。常见用途包括便携式消费电子产品中的电源整流与极性保护,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池接口电路。在这些设备中,该二极管常用于防止电池反接损坏主控芯片,同时在充电路径中作为低损耗整流元件使用。此外,它也大量用于DC-DC升压或降压转换器中,作为续流二极管(Flyback Diode)或自举二极管,利用其快速响应和低VF特性减少能量损失,提高转换效率。
在AC-DC适配器和小型电源模块中,DL4001-13-F可用于次级侧整流环节,尤其适用于输出电压较低(如5V或3.3V)的情况,以最大限度地降低压降带来的效率折损。它还适用于LED驱动电源、USB供电电路(包括USB PD应用)、无线充电发射与接收模块等新兴领域。在其作为防反接保护器件的应用中,得益于低漏电流(最大500μA)和高阻断电压能力,即使在待机或关机状态下也能有效隔离电源回路,防止不必要的能耗。
工业控制领域的小型传感器模块、数据采集设备以及通信接口保护电路中也可见到该型号的身影。例如,在RS-485或CAN总线接口中,可用作瞬态电压抑制辅助元件;在FPGA或微控制器的I/O保护电路中,提供ESD和过压箝位功能。由于其具备良好的高频响应特性,也可用于射频电路中的信号检波或包络检测任务。总体而言,DL4001-13-F凭借其优异的电气性能和紧凑封装,已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。
MBR140V-7-F
1N5819WS-7-F
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