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DKR200AB60 发布时间 时间:2025/12/26 9:50:25 查看 阅读:10

DKR200AB60是一款由Diodes Incorporated生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),主要用于高效率的电源整流和开关应用。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低正向电压降和快速开关特性,适用于多种中高功率应用场景。DKR200AB60的额定平均正向整流电流为200A,最大重复峰值反向电压为60V,适合在需要大电流处理能力且对压降敏感的设计中使用。其封装形式为TO-247AD,这种大功率封装具备良好的热传导性能,能够有效将内部产生的热量传递至散热器,从而保证器件在高负载条件下的稳定运行。此外,该二极管无铅且符合RoHS环保标准,满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其优异的电气性能和可靠性,DKR200AB60广泛应用于工业电源、逆变器、DC-DC转换器以及不间断电源系统(UPS)等场合。

参数

型号:DKR200AB60
  类型:肖特基势垒二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):60V
  最大直流阻断电压(VR):60V
  平均正向整流电流(IF(AV)):200A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):500A
  最大正向电压降(VF):0.58V @ 200A, Tc=115°C
  最大反向漏电流(IR):2.5mA @ 60V, Tc=115°C
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  封装/外壳:TO-247AD
  安装类型:通孔

特性

DKR200AB60的核心优势在于其低正向电压降与高电流承载能力的结合,这使其在大功率电源系统中表现出卓越的能量转换效率。其典型正向电压仅为0.58V,在200A的工作电流下显著降低了导通损耗,相比传统硅PN结二极管可节省大量功耗,提升整体系统能效。这一特性对于追求高效节能的应用如服务器电源、通信设备电源模块尤为关键。
  该器件基于肖特基势垒原理设计,利用金属-半导体接触形成整流结,因此不具备少数载流子存储效应,开关速度远高于普通整流二极管。这意味着在高频开关电路中,DKR200AB60能够迅速响应电压极性变化,减少反向恢复时间带来的能量损耗和电磁干扰(EMI),提高系统的动态响应性能。同时,较短的反向恢复时间也有助于降低开关管(如MOSFET或IGBT)在换流过程中的应力,延长主开关器件的使用寿命。
  TO-247AD封装不仅提供了机械强度和电气绝缘性,还通过大面积铜底板增强了热传导路径,使结到壳的热阻(RθJC)保持在较低水平,有助于实现高效的热管理。即使在恶劣的高温环境下,器件仍能维持可靠运行。此外,其宽泛的工作结温范围(-65°C至+175°C)确保了在极端温度条件下依然具备稳定的电气性能,适用于工业级和部分汽车级应用场景。
  DKR200AB60经过严格的质量控制流程生产,并通过多项可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储寿命(HTSL)和温度循环试验,以确保长期使用的稳定性与安全性。其无卤素(Halogen-Free)和符合RoHS指令的设计也体现了对绿色电子制造趋势的支持。综合来看,这款二极管是高性能、高可靠性需求场景下的理想选择。

应用

DKR200AB60广泛应用于各类需要高电流、低损耗整流功能的电力电子系统中。常见用途包括工业用大功率开关电源(SMPS),尤其是在输入或输出整流阶段作为主整流元件;太阳能逆变器中的直流侧整流与防反接保护电路;电动汽车车载充电机(OBC)和DC-DC变换器中的功率路径管理;以及不间断电源(UPS)系统中的电池充放电控制与旁路整流模块。此外,它也可用于焊接设备、电机驱动器和高压直流配电系统等高要求环境中。由于其出色的热稳定性和电气性能,特别适合部署在密闭空间或自然冷却条件下的设备中,以减少风扇等主动散热部件的依赖,从而提升系统整体可靠性与寿命。

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DKR200AB60参数

  • 现有数量50现货
  • 价格1 : ¥359.02000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)600 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)100A(DC)
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.4 V @ 200 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)200 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 mA @ 600 V
  • 工作温度 - 结-40°C ~ 150°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装-