时间：2025/7/17 19:25:33
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DK5V100R20ST1 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET晶体管，专为高效能、高频开关应用设计。这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），以减少功率损耗并提高系统效率。其封装形式为表面贴装型（SMD），适用于紧凑型电源设备的设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：20A
导通电阻（Rds(on)）：约0.02Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V~3V
功耗（Pd）：120W
工作温度范围：-55°C至175°C
DK5V100R20ST1的主要特点包括低导通电阻和高电流容量，使其非常适合用于DC/DC转换器、电机控制、负载开关以及各种电源管理应用。
此外，该器件采用了先进的工艺技术，具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间运行而不会影响性能。由于其快速的开关速度，DK5V100R20ST1可以在高频率下运行，从而减小外围电感和电容的尺寸，提升整体系统的效率与集成度。
该MOSFET还具备较高的雪崩击穿耐受能力，有助于在异常工况下保护电路安全，避免因瞬态高压或过流而导致的损坏。这种耐用性使得DK5V100R20ST1成为汽车电子、工业自动化等苛刻环境中理想的功率开关器件。
DK5V100R20ST1广泛应用于各类电力电子系统中，如便携式设备的电池管理系统、服务器和计算机电源供应器、LED照明驱动电路、光伏逆变器、UPS不间断电源、车载充电器及电动工具控制系统等。
此外，在新能源领域，例如电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电机驱动器和能量回收系统中，DK5V100R20ST1也表现出色。其高效的能效转换能力和出色的热稳定性，使它能够胜任高要求的应用场景，并且有助于延长设备的工作寿命。
同时，由于其表面贴装封装形式，DK5V100R20ST1非常容易实现自动化生产和焊接，适合大规模量产使用。
SiHF60N100E、FDMS86242、IRFZ44N
