类型：NPN型晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：40V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：范围110-800（取决于测试条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C

DI409SI具有多项优良的电气特性，使其适用于多种电子电路设计。首先，其最大集电极-发射极电压为40V，使得该晶体管能够承受较高的电压应力，适用于中等电压应用。其次，最大集电极电流为100mA，满足大多数低功率放大和开关电路的需求。此外，DI409SI的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800，确保在不同偏置条件下都能实现稳定的放大性能。
　　该晶体管的增益带宽积为100MHz，支持高频信号放大，适用于射频和高速开关应用。同时，DI409SI的SOT-23封装提供了优良的热稳定性和机械强度，适合表面贴装工艺，提高了PCB组装的效率和可靠性。
　　DI409SI的工作温度范围为-55°C至+150°C，表现出良好的温度适应性，适用于工业级和汽车电子应用。此外，其最大功耗为200mW，能够在相对较高的功耗条件下保持稳定运行。

DI409SI被广泛应用于多个电子领域。在模拟电路中，DI409SI可用于构建放大器，例如音频放大器或射频信号放大器。其高频响应特性使其适用于无线通信模块中的信号处理。在数字电路中，DI409SI常用于构建开关电路、逻辑门和缓冲器，能够有效控制负载的通断。
　　此外，DI409SI也适用于LED驱动、继电器控制、传感器接口电路以及各种低功率电源管理系统。由于其高可靠性和紧凑的封装设计，DI409SI在消费电子产品、工业控制系统、汽车电子模块和便携式设备中得到了广泛应用。

2N3904, BC847, PN2222A