类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：40V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：110A（在25℃下）
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　封装形式：D2PAK
　　工作温度范围：-55℃至175℃

DI110N04PQ具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率并减少了散热需求。其次，该MOSFET采用先进的沟槽式技术，使得在保持低Rds(on)的同时还具备较高的电流处理能力，适合用于大电流应用场景。
　　此外，DI110N04PQ具有较高的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作条件下长时间运行。其D2PAK封装具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。栅极电荷（Qg）较低，使得开关速度更快，进一步降低开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力和过载保护能力，提高了系统在异常情况下的稳定性。其±20V的栅极电压耐受范围允许使用更高的驱动电压，从而进一步优化导通性能。综合这些特性，DI110N04PQ非常适合用于高效率、高可靠性的电源管理系统。

DI110N04PQ广泛应用于各类电源管理系统和功率转换设备中。在DC-DC转换器中，它常被用作主开关器件或同步整流器，以提高转换效率并减小系统尺寸。在电池管理系统（BMS）中，DI110N04PQ可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。
　　此外，该MOSFET还可用于工业电源、服务器电源、通信设备电源模块、电动工具、无人机动力系统以及新能源汽车中的功率控制单元。其高电流能力和低导通损耗也使其成为电机驱动和负载开关应用的理想选择。
　　由于其优异的热性能和可靠性，DI110N04PQ也常用于高密度电源模块和嵌入式系统中，满足对空间和效率有严格要求的应用场景。

TPH1R404NH, SQJQ110EP, CSD17551Q5A