DI106S-LT/R 时间：2025/8/14 18:43:54 阅读：22

DI106S-LT/R 是一款由 Diodes 公司生产的双极性晶体管（BJT）阵列器件，通常用于需要双晶体管配置的电路设计中。该器件集成了两个独立的 NPN 晶体管，具有相同的电气特性，适用于高可靠性、高稳定性的应用场合。

参数

类型：双极性晶体管（NPN）
　　晶体管数量：2
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：300V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110（最小值）
　　封装类型：SOT-26（6引脚）

特性

DI106S-LT/R 采用 SOT-26 小型封装，适合在空间受限的电路板设计中使用。其内置的两个 NPN 晶体管具有良好的匹配性，确保在差分放大器、开关电路和传感器接口电路中具有稳定的性能。
　　该器件的最大集电极-发射极电压为 300V，适用于中高压应用，如电源管理、信号处理和驱动电路。此外，DI106S-LT/R 的最大功耗为 300mW，能够在较宽的温度范围内保持稳定运行。
　　其 hFE 值（电流增益）最低为 110，提供较高的电流放大能力，适合用于高增益放大器和开关控制应用。该器件还具备良好的热稳定性和低噪声特性，使其在音频放大、传感器信号调理等应用中表现出色。
　　DI106S-LT/R 通过 AEC-Q101 汽车级认证，适用于汽车电子系统中的电路设计，确保在恶劣环境下仍能可靠工作。