晶体管类型：NPN双极型晶体管阵列
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
　　最大基极电流（IB）：5 mA
　　最大功耗（PD）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23-6

DI102S-L的主要特性之一是其高度集成的设计，内部集成了两个独立的NPN晶体管，这使得该器件在电路设计中可以减少元件数量，提高系统的可靠性和简化PCB布局。每个晶体管的电气参数都非常接近，确保了在并联或对称设计中的匹配性能。
　　该器件的最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压最大为30 V，能够满足大多数低功率应用的需求。DI102S-L的工作温度范围较宽，从-55°C到150°C，适用于各种恶劣环境下的工业和汽车应用。
　　此外，DI102S-L采用SOT-23-6封装，体积小、重量轻，便于在高密度电路板上使用。该封装还具有良好的热稳定性和机械强度，能够有效保护内部晶体管免受外部环境的影响。
　　DI102S-L的功耗较低，最大为200 mW，适合用于低功耗设计中。该器件的基极电流最大为5 mA，确保了在驱动和控制电路中的高效性能。

DI102S-L广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要多个晶体管配合工作的电路中。常见应用包括信号放大、逻辑电平转换、驱动LED和小型继电器、数字开关电路、电源管理模块以及工业控制设备。
　　在信号放大应用中，DI102S-L的两个NPN晶体管可以组成级联放大器，提高信号增益。在数字开关电路中，该器件可以作为开关元件，控制负载的通断状态。由于其封装小巧，DI102S-L也常用于便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　在汽车电子系统中，DI102S-L可用于驱动继电器、指示灯和传感器模块，确保车辆控制系统的稳定性和可靠性。此外，该器件还可用于电源管理系统中，作为电压调节和电流控制的关键元件。

BC847BDS, 2N3904, 2N2222