类型：NPN晶体管
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　过渡频率（fT）：100MHz（最小值）

DI102S-L T/R 晶体管具有多个显著特性，适用于多种电子电路设计。
　　首先，该晶体管的最大集电极电流为100mA，能够满足中等功率的开关和放大需求。同时，其集电极-发射极电压（Vce）和集电极-基极电压（Vcb）均为30V，适用于多种电源电压配置，具有较高的电压容忍能力。
　　其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800，具体数值取决于测试条件。这种高增益特性使其非常适合用于信号放大和高精度开关控制。
　　另外，DI102S-L T/R 的过渡频率（fT）为100MHz（最小值），适合用于高频放大器和射频（RF）相关应用。其高频性能使其在通信设备和音频放大电路中表现出色。
　　该晶体管的SOT-23（SC-59）封装结构紧凑，便于在印刷电路板（PCB）上进行高密度布局。同时，其最大功耗为300mW，能够在较高温度环境下稳定运行。
　　最后，DI102S-L T/R 的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛环境，具有良好的热稳定性和可靠性。这种宽温特性使其适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

DI102S-L T/R 晶体管在多个领域具有广泛的应用前景。
　　在消费电子产品中，该晶体管可用于音频放大电路，提供高保真音频信号放大功能，同时也可用于逻辑门电路和微处理器外围电路的开关控制。
　　在工业自动化领域，DI102S-L T/R 常用于继电器驱动、电机控制和传感器信号调节电路。由于其高增益和良好的热稳定性，该晶体管可以可靠地控制各种执行机构和传感器设备。
　　在通信设备中，该晶体管可应用于射频（RF）信号放大器、调制解调器和无线通信模块。其高频特性（100MHz过渡频率）使其在高频信号处理中表现优异。
　　此外，DI102S-L T/R 还可用于电源管理电路、DC-DC转换器和LED驱动电路。其SOT-23封装设计使其适用于表面贴装技术（SMT）工艺，提高生产效率并降低制造成本。
　　在汽车电子系统中，该晶体管可用于车灯控制、电动窗驱动、车载娱乐系统和发动机控制单元（ECU）。其宽温度范围（-55°C至+150°C）使其能够适应各种极端环境条件。

2N3904, BC547, PN2222A