时间：2025/8/2 5:00:58
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DI050N06D1 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 设计用于高效率电源管理应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制等场景。DI050N06D1 采用先进的沟槽技术，确保了在高频率开关操作下的稳定性能。其封装形式为 DFN3x3，具有良好的热性能和空间利用率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：5.0mΩ @ Vgs=10V
导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散(Pd)：54W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN3x3
DI050N06D1 的主要优势在于其极低的导通电阻，这使得在高电流条件下能够显著减少功率损耗并提高系统效率。其低 Rds(on) 特性也意味着在高负载应用中可以减少发热，从而提高整体系统的稳定性。
此外，该 MOSFET 具备良好的热管理和高功率密度，DFN3x3 封装设计不仅节省空间，还提供了优异的散热性能，适用于高密度 PCB 布局。DI050N06D1 支持快速开关操作，适用于高频开关电源和同步整流器等应用。
该器件的栅极驱动电压范围为 4.5V 至 10V，兼容常见的栅极驱动 IC，简化了设计过程。其高耐压特性（60V Vds）使得它能够在中高电压系统中可靠工作，如工业自动化、电动工具、电池管理系统（BMS）等。
DI050N06D1 还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提高了器件在恶劣环境下的可靠性。
DI050N06D1 主要应用于需要高效能功率开关的场合，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、电动工具以及服务器电源等。由于其低导通电阻和优异的热性能，该 MOSFET 在高效率和高密度电源系统中表现出色，特别适合用于需要高电流和高频率开关的应用场景。
SiR142DP-T1-GE3, BSC050N06LS G, FDS6680, IPB050N06N3 G
