时间：2025/9/6 14:59:10
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DHM3J120 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET功率晶体管，采用高性能的U-MOS VIII技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）和高可靠性，适用于各种功率开关和转换应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：1200V
最大连续漏极电流（ID）：110A
导通电阻（RDS(on)）：最大3.4Ω（在VGS=10V时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值4.5V
最大功率耗散（PD）：200W
封装类型：TO-247
DHM3J120 MOSFET采用了先进的U-MOS VIII技术，提供极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗并提高系统效率。该器件支持高电压（1200V）和大电流（高达110A）工作，适用于高压功率转换和电机控制等应用场景。
此外，该MOSFET具备优异的热稳定性和耐用性，可在高温环境下稳定运行，提高了整体系统的可靠性和寿命。其TO-247封装形式有助于良好的散热性能，适用于工业电源、电动车辆（EV）充电器、太阳能逆变器和电机驱动器等应用。
该器件还具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高系统效率。同时，其栅极驱动设计兼容常见的10V驱动电路，便于集成到现有的功率电子系统中。
DHM3J120适用于多种高功率和高电压的电子系统，包括工业电源、高频开关电源（SMPS）、电动车辆充电设备、太阳能逆变器、电机驱动和变频器。此外，它还可用于UPS（不间断电源）、焊接设备和电能质量调节装置等需要高效能功率开关的场合。
TK110E12K, SiHP120N6F, IXFH110N120
