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DHM3J120 发布时间 时间:2025/9/6 14:59:10 查看 阅读:6

DHM3J120 是一款由东芝(Toshiba)推出的MOSFET功率晶体管,采用高性能的U-MOS VIII技术制造,具备低导通电阻(RDS(on))和高可靠性,适用于各种功率开关和转换应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电压(VDSS):1200V
  最大连续漏极电流(ID):110A
  导通电阻(RDS(on)):最大3.4Ω(在VGS=10V时)
  栅极阈值电压(VGS(th)):典型值4.5V
  最大功率耗散(PD):200W
  封装类型:TO-247

特性

DHM3J120 MOSFET采用了先进的U-MOS VIII技术,提供极低的导通电阻,从而显著降低导通损耗并提高系统效率。该器件支持高电压(1200V)和大电流(高达110A)工作,适用于高压功率转换和电机控制等应用场景。
  此外,该MOSFET具备优异的热稳定性和耐用性,可在高温环境下稳定运行,提高了整体系统的可靠性和寿命。其TO-247封装形式有助于良好的散热性能,适用于工业电源、电动车辆(EV)充电器、太阳能逆变器和电机驱动器等应用。
  该器件还具有快速开关能力,有助于减少开关损耗,提高系统效率。同时,其栅极驱动设计兼容常见的10V驱动电路,便于集成到现有的功率电子系统中。

应用

DHM3J120适用于多种高功率和高电压的电子系统,包括工业电源、高频开关电源(SMPS)、电动车辆充电设备、太阳能逆变器、电机驱动和变频器。此外,它还可用于UPS(不间断电源)、焊接设备和电能质量调节装置等需要高效能功率开关的场合。

替代型号

TK110E12K, SiHP120N6F, IXFH110N120

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