DH2F200N4S 时间：2025/12/29 14:56:46 阅读：19

DH2F200N4S是一款由Delta Electronics生产的双功率场效应晶体管（MOSFET）模块，专为高功率密度和高效率应用设计。该模块采用先进的封装技术，提供高耐压、高电流能力和优良的热管理性能。DH2F200N4S通常用于工业电源、电机驱动、UPS系统和可再生能源系统等领域。

参数

类型：功率MOSFET模块
　　最大漏极电压（VDSS）：400V
　　最大漏极电流（ID）：200A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.45mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247AC
　　栅极驱动电压：10V至20V
　　热阻（RthJC）：0.15°C/W（典型值）

特性

DH2F200N4S具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该模块采用先进的封装技术，具有良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定工作。
　　模块内部集成了两个MOSFET器件，支持并联操作，进一步提高电流承载能力。同时，该模块具备高耐压特性，能够承受瞬时高压冲击，适用于各种严苛的工作环境。
　　由于其优异的电气和热性能，DH2F200N4S能够在高频率开关应用中表现出色，适用于高功率密度设计。此外，模块设计符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品制造。

应用

DH2F200N4S广泛应用于高功率工业设备，如伺服驱动器、变频器和工业电源系统。该模块也适用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等新能源应用。
　　在电机控制和驱动系统中，DH2F200N4S能够提供高效的功率转换和可靠的性能，适用于高性能电机驱动器设计。此外，在高功率电源供应器和电池管理系统中，该模块也发挥着重要作用，确保系统的稳定性和安全性。