晶体管类型：NPN 双晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：300V
　　集电极-基极电压（VCBO）：300V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-26（TSOP）

DGSK20-025AS T/R 是一款双 NPN 晶体管阵列器件，采用了先进的硅外延平面工艺制造，具备良好的电气性能和稳定性。每个晶体管单元具有相同的电气参数，确保了在并行或对称电路设计中的一致性和匹配性。该器件的集电极-发射极电压（VCEO）和集电极-基极电压（VCBO）均为300V，具备较高的电压耐受能力，适用于高压应用场合。同时，其低功耗特性（最大功耗为300mW）使其在电源管理、信号放大和开关控制等应用中表现出色。
　　此外，DGSK20-025AS T/R 采用 SOT-26 小型化封装，节省了电路板空间，并且适合高密度PCB布局。T/R后缀表示该器件以卷带和卷盘的形式供应，便于自动化贴片机进行高速装配，提高了生产效率。该器件的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，能够在极端环境条件下稳定工作，适用于工业控制、通信设备、消费电子产品以及汽车电子等领域。

DGSK20-025AS T/R 主要用于需要双晶体管配置的电路中，例如模拟放大器、逻辑电平转换、开关电路、信号处理、电源管理、LED驱动和传感器接口等应用。由于其高耐压和低功耗特性，该器件在通信设备、便携式电子产品、汽车电子模块和工业控制系统中均有广泛的应用。在需要多个晶体管协同工作的场合，该双晶体管阵列能够有效减少元器件数量，提高系统的可靠性和集成度。

MMBT3904LT1G（双晶体管阵列，ONSEMI）、2SC2712-O（NPN双晶体管，东芝）、2N3904（单管，可双封装替代）、DTC114EKA（双晶体管阵列，东芝）