时间：2025/12/26 9:29:23
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DGD05473FN-7是一款由Diodes Incorporated生产的同步整流控制器，专为反激式电源转换器设计。该器件主要用于提高AC-DC电源的效率，特别是在高能效要求的应用中，如适配器、充电器和开放式电源系统。DGD05473FN-7采用先进的控制算法，能够精确检测功率MOSFET的导通与关断时机，从而实现高效的同步整流功能，减少传统肖特基二极管所带来的导通损耗。该芯片支持宽范围的工作电压，并具备多种保护机制，包括过温保护、欠压锁定（UVLO）以及门极驱动故障检测等，确保系统在各种异常条件下仍能安全运行。其封装形式为SOT-26小尺寸表面贴装封装，适合空间受限的高密度PCB布局。此外，DGD05473FN-7具有良好的EMI性能和快速响应能力，能够在高频开关环境下稳定工作，适用于现代高效节能电源的设计需求。
型号：DGD05473FN-7
制造商：Diodes Incorporated
封装类型：SOT-26
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
供电电压范围：8.5V 至 32V
最大输出电流：350mA（峰值）
关断时间延迟：典型值40ns
启动电流：典型值60μA
静态电流：典型值1.2mA
开关频率支持：高达500kHz
驱动方式：低侧N沟道MOSFET驱动
保护功能：UVLO、过温保护、门极开路检测
输入信号兼容性：支持从主控PWM控制器的主开关信号直接驱动输入
DGD05473FN-7具备多项先进特性，使其成为高性能反激式同步整流控制器的理想选择。首先，它采用了自适应导通时间控制技术，可根据变压器去磁时间和负载条件自动调节SR MOSFET的导通周期，有效避免了体二极管导通导致的额外损耗，同时防止误触发引起的交叉导通问题。这种智能控制策略显著提升了轻载到满载全范围内的转换效率，满足能源之星、CoC Tier 2等国际能效标准的要求。
其次，该器件集成了快速关断机制，能够在原边主开关导通前迅速关闭同步整流MOSFET，防止反向电流流动，进一步降低损耗并提升系统可靠性。内部逻辑经过优化，可有效抑制噪声干扰，即使在高压尖峰或振铃严重的环境中也能保持稳定工作，增强了系统的抗干扰能力。
再者，DGD05473FN-7内置全面的保护功能。例如，当芯片温度超过设定阈值时，过温保护（OTP）会自动关闭输出，待温度下降后恢复运行，保障长期使用的安全性。欠压锁定（UVLO）功能确保只有在供电电压达到稳定水平后才允许芯片启动，避免因电源不稳定导致的误操作。此外，门极驱动开路检测功能可在外部MOSFET栅极连接异常时及时停机，防止潜在损坏。
该器件还具备低功耗待机模式，在轻载或空载情况下大幅降低自身消耗电流，有助于实现绿色节能目标。SOT-26小型化封装不仅节省PCB空间，而且便于自动化贴片生产，适用于大批量制造场景。整体设计兼顾性能、可靠性和成本效益，广泛应用于各类中小功率开关电源中。
DGD05473FN-7主要应用于需要高效率、小体积电源解决方案的场合。常见于手机、平板电脑、笔记本电脑的USB Type-C PD适配器中，作为次级侧同步整流控制器使用，以替代传统的肖特基二极管，显著提升整体能效并减少发热。此外，它也适用于电视、显示器、路由器等消费类电子产品的开放式电源（Open Frame Power Supply），帮助满足严格的环保法规要求。
在工业领域，该芯片可用于工业控制设备、LED驱动电源及通信基站中的辅助电源模块，提供稳定可靠的低压直流输出。由于其支持高达500kHz的开关频率，特别适合用于高频反激拓扑结构，配合主控IC实现紧凑型高功率密度设计。
此外，DGD05473FN-7还可用于车载充电器、智能家居设备电源以及医疗设备中的隔离式DC-DC模块。其宽输入电压范围和优异的瞬态响应能力，使其能在输入波动较大的环境中保持稳定输出。结合其内置多重保护机制，非常适合对安全性和可靠性要求较高的应用场景。
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"APSR3501SG-7",
"MP6908A-AEC1-Z",
"ISL8117IRZ-T7",
"RT7301BGQW",
"SG6001SP"
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