晶体管类型：NPN双极型晶体管阵列
　　封装类型：SOT-26
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗：300mW
　　频率响应：250MHz
　　增益（hFE）：110-800（根据电流条件）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

DGB8295采用了先进的硅双极型工艺制造，具有良好的高频性能和稳定性。该器件的每个晶体管都具有独立的引脚，方便用户根据需求进行连接和配置。其高增益特性使其适用于需要信号放大的场合，例如射频（RF）放大器和低噪声放大器（LNA）。此外，DGB8295还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在高温环境下稳定工作。
　　该器件的封装设计采用了SOT-26标准，尺寸小巧，适合高密度PCB布局。SOT-26封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较高的机械强度，能够承受一定的机械应力。这使得DGB8295适用于便携式电子设备、无线通信模块和传感器系统等对空间和可靠性要求较高的应用场景。
　　DGB8295的工作温度范围宽广，从-55°C到+150°C，能够适应各种严苛的工作环境。这种宽温度范围特性使其在工业控制、汽车电子和航空航天等领域中具有广泛的应用潜力。

DGB8295主要应用于需要高频信号处理和高增益放大的电子设备中。其典型应用包括射频放大器、音频放大器、开关电路和传感器接口电路。此外，DGB8295也常用于通信设备中的信号处理模块，如无线基站、Wi-Fi路由器和蓝牙模块等。在工业控制系统中，DGB8295可用于驱动继电器、LED指示灯和小型电机等负载。由于其紧凑的封装和高性能特性，DGB8295也非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。

DGB8295的替代型号包括BC847系列和MMBT3904系列。这些型号在性能和封装上与DGB8295相似，适用于类似的高频和高增益应用。