DG538ADN-E3 是一种基于 CMOS 工艺设计的模拟开关,广泛应用于需要低导通电阻和高信号完整性的电路中。该器件具有单刀双掷(SPDT)结构,支持正向和反向信号切换功能。其出色的电气性能和可靠性使其非常适合在通信、消费电子、工业控制等领域使用。
该芯片能够在较宽的工作电压范围内稳定运行,并提供优异的线性度和低失真特性,从而确保了高质量的信号传输。
工作电压范围:2.7V 至 15V
导通电阻(Ron):4Ω(典型值,VDD=10V时)
带宽:90MHz
输入电容:6pF
关断泄漏电流:±1nA
电源电流:无负载时为零
封装形式:SOP-8
DG538ADN-E3 的主要特性包括:
1. 超低导通电阻(Ron),可显著降低信号路径中的损耗。
2. 高带宽支持高达 90MHz 的信号频率,适用于多种高速应用场景。
3. 极低的关断泄漏电流,保证在断开状态下几乎不会出现信号串扰。
4. 支持双向信号传输,增强了灵活性和适用范围。
5. 宽工作电压范围(2.7V 至 15V),适应不同的电源需求。
6. 小型 SOP-8 封装,节省 PCB 空间,便于布局和焊接。
7. 出色的线性度和低失真性能,适合音频和其他精密信号处理应用。
DG538ADN-E3 在以下领域中有着广泛应用:
1. 音频信号切换与混音器。
2. 视频信号分配与切换。
3. 数据采集系统的多路复用。
4. 通信设备中的射频和中频信号切换。
5. 测试测量仪器中的信号路由。
6. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑等的内部信号管理。
DG538ADN-E3M DG538ADP-E3 DG538ADP-E3M