时间：2025/4/28 17:03:17
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DG180AP/883是一种基于硅技术的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率、高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种工业和消费类电子领域。
类型：N-Channel MOSFET
电压（Vds）：800V
电流（Id）：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.2Ω
栅极电荷（Qg）：50nC
开关时间：ton=40ns, toff=70ns
封装：TO-247
DG180AP/883具备优异的电气性能，包括低导通电阻以减少功率损耗，同时提供出色的热稳定性和耐用性。
其主要特点如下：
- 高击穿电压：高达800V，确保在高压环境下的可靠运行。
- 大电流处理能力：支持高达18A的连续漏极电流。
- 快速开关速度：能够适应高频应用场景。
- 低导通电阻：有效降低传导损耗，提高整体效率。
- 强大的散热性能：通过优化的封装设计增强热管理能力。
- 可靠性高：符合严格的工业标准，适合长时间连续工作。
该器件广泛应用于需要高效能功率转换和控制的场合，典型应用包括：
- 开关电源（SMPS）
- 直流-直流转换器
- 电机驱动和控制
- 工业自动化设备
- 能量管理系统
- 太阳能逆变器
- 电动工具驱动
- 其他高压、大电流开关电路
IRFP260N
STP18NF80
FDP18N80
IXTH18N80L
