DFR1B 时间：2025/9/12 9:42:44 阅读：35

DFR1B 是一款由东芝（Toshiba）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），主要用于需要低正向电压降和高速开关特性的电路中。该器件采用小型表面贴装封装，适用于各种电子设备和电源管理系统。

参数

最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大正向电流（IF）：1A
　　正向压降（VF）：最大0.45V @ IF=1A
　　反向漏电流（IR）：最大0.5mA @ VR=30V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOD-123

特性

DFR1B 的主要特点是其低正向电压降（VF），这使得它在大电流应用中具有更高的效率，减少了能量损耗并降低了热量产生。
　　该器件采用了肖特基二极管结构，具有非常快的开关速度，适用于高频整流和开关电源应用。
　　DFR1B 的最大反向电压为30V，能够满足大多数低压电路的需求，同时其最大正向电流能力为1A，足以应对许多中等功率应用。
　　此外，DFR1B 采用 SOD-123 小型封装，占用电路板空间较小，便于在紧凑型设计中使用。这种封装还具有良好的热性能，能够有效散热，确保器件在高负载条件下稳定工作。
　　该二极管的反向漏电流较低，在高温环境下仍能保持较好的性能，适用于环境温度较高的应用场合。
　　DFR1B 的工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，具备较强的环境适应能力，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

DFR1B 常用于电源管理电路、DC/DC 转换器、电池供电设备、高频整流电路以及作为输入保护二极管使用。
　　在电源管理系统中，DFR1B 可用于防止反向电流流动，确保电源的稳定性和安全性。
　　在 DC/DC 转换器中，由于其低正向压降和快速开关特性，DFR1B 能够提高转换效率并减少功率损耗。
　　该器件也广泛应用于电池充电电路，作为防止电流倒流的隔离二极管。
　　在高频开关电源中，DFR1B 的快速响应能力使其成为理想的整流元件。
　　此外，DFR1B 还可用于信号整流、逻辑电平钳位、以及各类便携式电子设备中的节能电路。