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DFLZ6V2-7 发布时间 时间:2025/12/26 9:08:15 查看 阅读:16

DFLZ6V2-7是一款由Diodes Incorporated生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件采用SOD-323小型表面贴装封装,适合在空间受限的高密度电路板设计中使用。DFLZ6V2-7的标称齐纳电压为6.2V,属于中等电压范围的齐纳管,具有较陡峭的击穿特性,能够在反向击穿区稳定工作,提供精确的参考电压。该器件设计用于低功率应用,最大耗散功率通常为200mW,能够承受一定的瞬态过压情况,适用于信号电平钳位、电源保护、电压检测等多种功能场景。其封装形式SOD-323具有较小的体积和良好的热稳定性,便于自动化贴片生产,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和便携式电子产品中。

参数

类型:齐纳二极管
  极性:单齐纳
  最大耗散功率:200mW
  标称齐纳电压:6.2V
  测试电流:5mA
  最大动态阻抗:10Ω
  反向漏电流:<1μA @ VR=1V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装:SOD-323

特性

DFLZ6V2-7齐纳二极管具备优异的电压稳定性和温度特性,其标称齐纳电压为6.2V,在常见的硅基半导体工艺中处于性能最优区间之一。这是因为6V左右的齐纳电压结合了齐纳击穿与雪崩击穿机制,使得该电压点附近的动态阻抗最低,电压随电流变化的波动最小,从而提供更高的稳压精度。该器件在5mA的测试电流下工作,典型动态阻抗仅为10Ω,确保在负载或输入电压波动时仍能维持稳定的输出电压。此外,其反向漏电流在低电压条件下小于1μA,表现出良好的关断特性和低功耗优势,特别适用于电池供电或待机功耗敏感的应用。
  DFLZ6V2-7采用SOD-323封装,尺寸紧凑(约1.7mm x 1.25mm x 1.0mm),非常适合高密度PCB布局和便携式设备的设计需求。该封装支持回流焊工艺,具有良好的焊接可靠性和热循环耐久性。器件的工作结温范围可达+150°C,可在高温环境下长期稳定运行,适用于工业级和汽车电子中的严苛条件。同时,其宽泛的存储温度范围也增强了在极端环境下的适用性。DFLZ6V2-7还具备较高的可靠性,经过严格的寿命测试和ESD防护设计,能够在复杂电磁环境中保持稳定性能,减少系统故障率。

应用

DFLZ6V2-7常用于需要精确电压参考的模拟和数字电路中,例如作为ADC或DAC的基准源旁路稳压元件,或在反馈控制系统中提供稳定的偏置电压。它也广泛应用于电源管理模块中,用于低压直流电源的过压保护和电压钳位,防止瞬态电压冲击损坏后续电路。在信号调理电路中,该器件可用于限制信号幅度,保护敏感输入端口免受静电放电(ESD)或浪涌电压的影响。此外,在传感器接口电路中,DFLZ6V2-7可为传感器提供稳定的偏置电压或用于校准参考点。由于其小封装和低功耗特性,该器件也常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中,执行电压监测和电路保护功能。在工业控制领域,可用于PLC模块、数据采集系统和通信接口的电平转换与保护。

替代型号

BZT52C6V2S-7-F, MMBZ5231BS-7-F, SZLLZ6V2-7

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DFLZ6V2-7参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.2V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 2V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大1W
  • 阻抗(最大)(Zzt)3 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳2-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装PowerDI? 123
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称DFLZ6V2DIDKR