时间:2025/12/26 11:42:36
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DFLZ30-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置,广泛应用于需要高效、低功耗整流和信号处理的电路中。该器件基于先进的平面技术制造,具有优良的开关特性和较低的正向压降,能够显著提升电源转换效率并减少热损耗。DFLZ30-7-F封装在SOT-23(Small Outline Transistor)小型化封装中,适用于空间受限的便携式电子设备和高密度PCB布局场景。其结构设计优化了散热性能与电气性能之间的平衡,适合高频开关电源、DC-DC转换器、反向电压保护以及输入输出接口保护等多种应用场合。由于其快速恢复特性,该器件可有效抑制反向恢复电流带来的噪声和能量损耗,从而增强系统的稳定性与可靠性。此外,DFLZ30-7-F符合RoHS环保标准,并具备良好的湿度等级和焊接耐受性,适合无铅回流焊工艺,满足现代电子产品对绿色制造的要求。
类型:双共阴极肖特基二极管
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):300mA
峰值正向浪涌电流(IFSM):1.25A
最大正向电压(VF):450mV @ 150mA, 1V @ 300mA
最大反向漏电流(IR):200μA @ 25°C, 30V
反向恢复时间(trr):典型值5ns
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23
引脚数:3
极性:双共阴极
湿敏等级(MSL):1级(260°C,无限时间)
DFLZ30-7-F的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种技术通过金属-半导体结代替传统的PN结,显著降低了正向导通压降,从而减少了功率损耗并提高了整体能效。在实际应用中,当正向电流为150mA时,其典型正向压降仅为450mV,远低于普通硅二极管的约700mV水平,这意味着在相同工作条件下产生的热量更少,有助于简化热管理设计。此外,该器件具备极快的开关速度,反向恢复时间trr典型值仅为5ns,几乎不存在少数载流子存储效应,因此在高频开关环境下表现出色,能有效避免因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰问题,提升系统EMI性能。
该器件的双共阴极结构使其特别适用于双路正向整流或并联使用以提高电流承载能力的应用场景。例如,在双通道DC-DC转换器中,两个阳极分别连接到不同的开关节点,而共用的阴极则连接至输出端,实现高效的同步整流功能。同时,SOT-23封装不仅体积小巧(仅2.9mm x 1.3mm x 1.1mm),还具备良好的热传导性能,能够在有限的空间内提供稳定的电气连接。该封装也便于自动化贴片生产,提升组装效率和产品一致性。
DFLZ30-7-F的工作温度范围宽达-55°C至+125°C,确保其在严苛环境下的可靠运行,包括工业控制、汽车电子和户外通信设备等应用场景。其低漏电流特性(在30V反向电压下典型值为200μA)进一步增强了在待机或低功耗模式下的系统效率。此外,该器件通过AEC-Q101车规认证的可能性较高(需查证具体型号版本),适用于对可靠性要求较高的车载系统。综合来看,DFLZ30-7-F凭借其低VF、高速开关、小尺寸封装和高可靠性,成为现代高效电源管理和信号调理电路中的理想选择。
DFLZ30-7-F广泛应用于各类需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理与电池充电回路;在这些设备中,它常用于防止电池反向放电或作为DC-DC升压/降压转换器中的续流二极管。此外,该器件也适用于各种类型的AC-DC和DC-DC开关电源模块,特别是在多路输出拓扑结构中,利用其双共阴极配置实现两路独立但共地的整流功能。
在工业控制领域,DFLZ30-7-F可用于PLC输入接口的瞬态电压抑制和极性保护电路,防止外部传感器或执行器接线错误导致的反向电压损坏主控芯片。在通信设备中,该器件可作为信号线路的钳位保护元件,限制过压脉冲对敏感IC的影响,提升系统的抗干扰能力和长期稳定性。
此外,该器件也适合用于USB供电电路、LED驱动电源、备用电源切换电路以及逆变器中的自由轮转二极管应用。由于其快速响应特性,还能在高频PWM调光电路中发挥良好作用。在汽车电子系统中,尽管主电源系统通常需要更高耐压和电流能力的器件,但DFLZ30-7-F仍可用于车载信息娱乐系统的低压辅助电源、传感器供电隔离或CAN总线保护电路中。总体而言,凡是对空间、效率和响应速度有较高要求的低压直流系统,都是DFLZ30-7-F的理想应用领域。
BAS40-04W-7-F
DMK30-7-F
MBRS340T1G
SZBZT52C3V3-E3-08
SLCS30-7-F