时间:2025/12/26 9:13:50
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DFLT36A-7是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列,专为高速开关和低电压降应用设计。该器件采用SOT-23(SC-59)小型封装,适合空间受限的便携式电子设备。DFLT36A-7内部集成了两个独立的肖特基二极管,连接方式为共阴极配置,这种结构使其非常适合用于输入电源反向保护、双通道信号整流、电压钳位以及ESD保护等场景。由于其低正向导通电压(通常在0.3V至0.45V之间)和快速反向恢复时间,该器件能有效减少功率损耗并提升系统效率,尤其适用于电池供电设备、移动通信设备和便携式消费类电子产品中。此外,DFLT36A-7具备良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,满足现代电子制造对环保与可靠性的双重需求。器件工作结温范围通常为-55°C至+125°C,存储温度范围宽,适应各种严苛的应用环境。
产品类型:肖特基二极管阵列
配置:双共阴极
最大重复反向电压(VRRM):30V
最大直流反向电压(VR):30V
峰值脉冲电流(IFSM):0.5A
最大正向电流(IF):300mA(每芯片)
正向电压(VF):典型值0.36V @ 0.3A,最大值0.45V @ 0.3A
反向漏电流(IR):最大5μA @ 25°C,最大50μA @ 85°C
反向恢复时间(trr):< 1ns
工作结温范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:SOT-23 (SC-59)
安装类型:表面贴装(SMD)
符合标准:符合RoHS,无卤素(Halogen-free)
DFLT36A-7的核心优势在于其采用了先进的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降和超快的开关响应速度。这一特性显著降低了在高频开关或持续导通状态下的功率损耗,提升了整体系统能效。其典型的正向电压仅为0.36V左右,在300mA的工作电流下,相比传统PN结二极管可节省近一半的导通功耗,这对于依赖电池供电且对热管理要求较高的设备尤为重要。同时,由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此具有极短的反向恢复时间(trr < 1ns),几乎不会产生反向恢复电荷,从而避免了在开关过程中出现的电流尖峰和电磁干扰问题,提高了电路的稳定性与可靠性。
该器件内部集成两个独立的肖特基二极管,并以共阴极方式排列,使得它在双通道电源路径控制、双路信号整流或差分信号处理中表现出色。例如,在USB接口或多路电源输入系统中,可用于防止电流倒灌和实现自动电源选择。共阴极结构还便于简化PCB布局,减少外部元件数量,提高设计紧凑性。SOT-23小型封装不仅节省板上空间,而且具备良好的散热性能和机械强度,适用于自动化贴片生产流程。
DFLT36A-7具有出色的温度稳定性,即使在高温环境下(如85°C或更高),其反向漏电流仍能控制在较低水平(最大50μA),确保长期运行的可靠性。此外,器件通过了严格的工业级测试,包括高温反向偏置(HIRB)、高温栅极偏置(HTRB)等,保证在恶劣工况下的耐用性。其无铅、无卤素设计符合现代绿色制造趋势,适用于消费电子、工业控制、通信模块和汽车电子等多种领域。
DFLT36A-7广泛应用于需要高效能、小尺寸和高可靠性的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电源反接保护,例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备,利用其低VF特性最大限度地减少电池能量损失。在多电源系统(如主电源与备用电池切换)中,该器件可用作理想二极管进行电源优先级选择,防止回流并实现无缝切换。此外,它也常用于I/O端口的静电放电(ESD)防护和电压钳位电路,吸收瞬态高压脉冲,保护敏感的集成电路免受损坏。
在通信接口电路中,如USB、HDMI、RS-232等信号线路上,DFLT36A-7可用于信号整流和瞬态抑制,提升信号完整性。其快速响应能力使其适合高频开关电源中的续流二极管或箝位二极管应用,尤其是在DC-DC转换器和同步整流拓扑中辅助主开关管工作。此外,该器件还可用于传感器信号调理电路、音频设备中的噪声抑制电路以及LED驱动电路中的防倒灌保护。
由于其小型化封装和高集成度,DFLT36A-7特别适合高密度PCB布局的设计需求,广泛应用于物联网终端、无线模块、智能家居控制器和工业传感器节点等嵌入式系统中。
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"DFLT36A-7-F",
"DFLS36A-7",
"DMT36A-7",
"BAS40-03W",
"MBR0530"
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