DFF20B12 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高性能的电源管理系统中。这款器件设计用于在高频率下工作,适用于如 DC-DC 转换器、电机控制、电源管理和电池充电器等应用。DFF20B12 采用先进的技术,提供卓越的导通电阻和开关性能,以满足现代电子设备对能效和小型化的需求。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (Vds):120 V
最大漏极电流 (Id):20 A
导通电阻 (Rds(on)):0.12 Ω(典型值)
栅极电荷 (Qg):24 nC(典型值)
最大功耗 (Ptot):50 W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:TO-220
DFF20B12 功率 MOSFET 具有低导通电阻,这有助于减少导通状态下的功率损耗,从而提高整体能效。该器件的栅极电荷较低,意味着其开关速度较快,适用于高频率的开关应用。此外,DFF20B12 的最大漏极电流为 20A,能够在较高负载条件下稳定运行,满足高功率需求。
DFF20B12 的 TO-220 封装形式提供了良好的散热性能,有助于在高电流操作时保持器件温度在安全范围内。其最大功耗为 50W,适合多种电源管理和功率转换应用。该器件的工作温度范围宽广,从 -55°C 到 +150°C,能够在各种环境条件下可靠运行。
此外,DFF20B12 的设计使其具备出色的抗雪崩能力和高耐用性,能够在瞬态电压和过载条件下保持稳定。这使其成为工业设备、汽车电子和消费类电子产品中理想的功率开关元件。
DFF20B12 常用于 DC-DC 转换器中,作为高效能的功率开关,能够提供稳定的电压转换。在电机控制应用中,该器件用于调节电机速度和方向,确保电机运行的高效性和可靠性。此外,DFF20B12 还广泛应用于电源管理系统,如 UPS(不间断电源)、电池充电器和负载开关电路中,以提高能源利用率。
在消费类电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑和智能家电,DFF20B12 可用于优化电源管理,延长电池寿命并提高设备性能。在工业自动化和控制系统中,该 MOSFET 可用于驱动继电器、电磁阀和各种执行器,提供高效的功率控制。
由于其高可靠性和耐用性,DFF20B12 也常用于汽车电子系统,例如车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车身控制模块,确保在严苛的车载环境中稳定运行。
IRF1405, FDPF20N120, STP20NF12