DF3684GHV 时间：2025/9/7 12:32:54 阅读：9

DF3684GHV是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高功率应用而设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于诸如电源转换、电机控制、逆变器以及工业自动化设备等应用。DF3684GHV采用高密度单元设计，提供了出色的热性能和可靠性，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：150V
　　最大漏极电流（Id）：360A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.9mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：180nC（典型值）
　　封装形式：TO-247AD
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

DF3684GHV具有多项先进的设计特性，首先是其低导通电阻（Rds(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备高耐压能力，最大漏源电压可达150V，适合中高功率应用。此外，DF3684GHV的封装形式为TO-247AD，具有良好的散热性能，能够在高电流条件下维持较低的温升。
　　该MOSFET还具备优异的雪崩能量承受能力，提升了在瞬态电压冲击下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V至20V驱动电压，便于与多种驱动电路兼容。此外，DF3684GHV在高频开关应用中表现出色，具有较低的开关损耗，有助于实现高频率功率转换系统的设计。综合来看，这些特性使DF3684GHV成为高性能功率电子设备的理想选择。

应用

DF3684GHV广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效能、高可靠性的场景下。例如，在工业电源系统中，它可用于DC-DC转换器、AC-DC整流器以及功率因数校正（PFC）电路。在电机控制领域，该器件可用于电机驱动器和变频器，提供高效且稳定的开关性能。
　　在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电转换系统，DF3684GHV也能够胜任高电压、高电流的工作环境。此外，它还适用于电动工具、电动车控制系统、储能系统以及各类高功率LED照明驱动电路。由于其出色的热性能和可靠性，DF3684GHV在高温环境下也能稳定运行，因此在工业自动化和汽车电子中也有广泛应用。