时间：2025/9/6 5:28:21
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DF15005ST是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关等应用。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装的特点，适合在便携式电子设备、DC-DC转换器和电池供电系统中使用。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：-15V
栅源电压（VGS）：-8V
连续漏极电流（ID）：-500mA（-0.5A）
导通电阻（RDS(ON)）：最大1.2Ω（在VGS = -4.5V时）
封装类型：SOT23
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散：300mW
DF15005ST采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗。其P沟道结构适用于高边开关应用，能够在低电压条件下（如3.3V或5V系统）有效工作。该器件的SOT23小型封装使其非常适合空间受限的应用，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路。此外，DF15005ST具备较高的热稳定性和抗静电能力，确保在复杂工作环境下的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在-4.5V至-8V之间稳定工作，便于与各种控制电路（如微控制器或PWM控制器）配合使用。由于其低输入电容和快速开关特性，DF15005ST也适用于中等频率的开关应用，如DC-DC降压/升压转换器、负载开关和继电器替代方案。
DF15005ST广泛应用于便携式电子产品中的电源管理系统，如智能手机、平板电脑、数码相机和手持式测试设备。它还可用于电池供电系统的负载开关控制，以实现高效的电源管理。此外，该器件适用于DC-DC转换器、逻辑电平转换器、LED背光控制以及各种低电压开关电路。
Si2305DS, AO3401, BSS84
