DF15005ST是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理和负载开关等应用。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装的特点,适合在便携式电子设备、DC-DC转换器和电池供电系统中使用。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(VDS):-15V
栅源电压(VGS):-8V
连续漏极电流(ID):-500mA(-0.5A)
导通电阻(RDS(ON)):最大1.2Ω(在VGS = -4.5V时)
封装类型:SOT23
工作温度范围:-55°C至150°C
功率耗散:300mW
DF15005ST采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有较低的导通电阻,从而减少了导通状态下的功率损耗。其P沟道结构适用于高边开关应用,能够在低电压条件下(如3.3V或5V系统)有效工作。该器件的SOT23小型封装使其非常适合空间受限的应用,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理电路。此外,DF15005ST具备较高的热稳定性和抗静电能力,确保在复杂工作环境下的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,可在-4.5V至-8V之间稳定工作,便于与各种控制电路(如微控制器或PWM控制器)配合使用。由于其低输入电容和快速开关特性,DF15005ST也适用于中等频率的开关应用,如DC-DC降压/升压转换器、负载开关和继电器替代方案。
DF15005ST广泛应用于便携式电子产品中的电源管理系统,如智能手机、平板电脑、数码相机和手持式测试设备。它还可用于电池供电系统的负载开关控制,以实现高效的电源管理。此外,该器件适用于DC-DC转换器、逻辑电平转换器、LED背光控制以及各种低电压开关电路。
Si2305DS, AO3401, BSS84