类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　正向电流（If）：1A
　　峰值反向电压（VRRM）：20V
　　正向电压（VF）：最大450mV @ 1A
　　反向漏电流（IR）：最大10μA @ 20V, 25°C
　　工作结温范围：-65°C 至 +125°C
　　热阻抗（RθJA）：约250°C/W
　　安装类型：表面贴装
　　无铅状态：无铅/RoHS合规
　　湿度敏感等级（MSL）：1级（260°C回流焊）

DF102S的核心特性源于其先进的肖特基势垒结构设计，这种结构利用金属-半导体接触形成具有较低势垒高度的整流结，从而显著降低正向导通电压。在典型工作条件下，其正向压降仅为450mV左右（@1A），远低于传统PN结二极管的0.7V以上水平，这使得器件在大电流通过时产生的功耗更低，提高了整体系统的能效表现。此外，低VF特性也减少了热量积聚，有助于延长周边元件的寿命并简化散热设计。该器件具备极快的反向恢复时间（通常小于1ns），由于肖特基二极管属于多数载流子导电器件，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关环境中表现出优异的响应能力，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑。
　　DF102S采用SOD-123FL封装，尺寸仅为2.0mm x 1.3mm x 1.0mm（典型值），是目前主流的小型化二极管封装之一，相较于传统的SOD-123封装，其引脚间距更小且底部优化了焊盘设计，有利于提高回流焊接的一致性和机械强度。该封装具备优良的热传导性能，结合合理的PCB布局可有效将结点热量传导至铜箔或地层，进一步提升功率承受能力。器件额定峰值反向电压为20V，适用于低压直流系统中的反接保护或电压隔离场景。其最大平均整流电流可达1A，在脉冲负载下可承受更高的瞬时电流，具体需参考数据手册中的电流降额曲线。
　　DF102S的工作结温范围从-65°C到+125°C，确保其在极端环境下的可靠运行，例如高温工业环境或低温户外设备。反向漏电流控制在10μA以内（@20V, 25°C），虽然随着温度升高会有所增加，但在正常工作范围内仍保持良好水平。该器件还具备较强的抗静电放电（ESD）能力，并通过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高压蒸煮试验（PCT），以验证其长期使用的稳定性。所有制造工艺均符合AEC-Q101（如适用版本）等行业标准，保证批量使用时的一致性与品质。

DF102S广泛应用于多种需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。在移动和便携式设备领域，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，它常被用作电池输入端的防反接保护二极管，防止因电池误插或外部电源异常导致主控芯片损坏。其低正向压降特性最大限度地减少了待机和运行状态下的能量损耗，延长了电池续航时间。在电源管理系统中，DF102S可用于双电源选择电路，实现主辅电源之间的无缝切换，例如USB供电与电池供电之间的自动优先级选择。
　　在DC-DC转换器拓扑中，尤其是同步整流架构尚未采用的情况下，DF102S作为输出端的续流或整流二极管，能够有效提升转换效率。尽管现代同步整流IC逐渐取代传统二极管，但在低成本或低功率设计中，肖特基二极管仍是极具性价比的选择。此外，该器件也常用于各类适配器、充电器模块、LED驱动电源和嵌入式控制器板卡中，执行电压箝位、噪声抑制和瞬态保护功能。在通信接口电路中，如USB、RS-232或I2C总线，DF102S可用于信号线路的过压防护或电平隔离，防止静电或浪涌冲击损坏敏感逻辑单元。
　　工业控制与自动化设备中，DF102S可用于传感器模块、PLC输入输出单元及远程终端装置（RTU）中，提供可靠的电源隔离与极性保护。在汽车电子辅助系统中，如车载信息娱乐系统、行车记录仪或电子后视镜等非动力总成相关部件中，该器件也能胜任低压直流电源处理任务。得益于其符合RoHS和无卤要求，DF102S适用于出口导向型产品和对环保指标有严格要求的项目。总体而言，DF102S是一款兼顾性能、尺寸与成本的理想通用型肖特基二极管，适合各类追求高集成度与高效率的现代电子设计需求。

DF103S
　　MBR120VLSFT1G
　　SMS102T1G
　　RB708L-40