类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-323（SC-76）
　　最大重复反向电压（VRRM）：30V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向电压降（VF）：450mV @ 100mA
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 25°C
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns

DF005S-T的核心特性之一是其低正向导通压降，典型值仅为450mV，在100mA的工作电流下显著降低了功率损耗，提高了系统的整体能效。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场合，例如移动终端中的DC-DC转换器旁路或负载开关的续流路径。由于采用了肖特基势垒结构，该器件不存在少子存储效应，因而具备极快的开关速度，反向恢复时间典型值仅为5纳秒，能够有效抑制高频开关过程中产生的电压尖峰和电磁干扰，提升电路稳定性。
　　另一个重要特性是其优异的热性能与小型化封装的结合。SOD-323封装尺寸紧凑（约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm），非常适合高密度布局的印刷电路板设计，同时仍能保证足够的散热能力以维持长期可靠运行。器件的最大平均整流电流为200mA，峰值浪涌电流可达1A，表明其具有一定的瞬态过载承受能力，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。此外，DF005S-T的最大反向漏电流控制在100μA以内（25°C时），虽然随着温度升高会有所增加，但在常规工作条件下仍处于可接受范围。
　　该器件还具备良好的温度适应性，工作结温范围从-55°C到+125°C，覆盖了绝大多数工业与消费类应用场景。它通过AEC-Q101等可靠性认证的可能性较高（具体需查阅制造商文档），适用于车载电子中的低功率信号整流任务。DF005S-T的制造过程遵循无铅焊接工艺要求，兼容回流焊流程，并具备良好的防潮性能，确保在自动化装配过程中不易损坏。综合来看，DF005S-T凭借其高效、小巧、可靠的特点，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

DF005S-T常用于各类便携式电子产品的电源管理单元中，作为防止电源反接的保护二极管，利用其单向导电性阻断错误极性带来的损害。在DC-DC转换电路中，它可用作同步整流的辅助二极管或提供续流路径，减少能量损失并提高转换效率。此外，由于其快速响应特性，该器件也适用于高频信号整流与检波电路，如射频识别（RFID）标签、无线传感器节点中的能量采集模块等。在多电源切换系统中，DF005S-T可用于构建理想的二极管ORing电路，实现主备电源之间的无缝切换，避免传统机械继电器带来的延迟与磨损问题。
　　在USB供电接口、充电管理模块以及锂电池充放电保护电路中，DF005S-T常被用来隔离不同电源域或防止电流倒灌，保障系统的安全运行。其小型封装特别适合空间受限的可穿戴设备，如智能手表、TWS耳机和健康监测手环等，这些设备对元器件的高度和占位面积有严格要求。同时，该器件也被广泛应用于各类消费类主板、显示驱动板、摄像头模组和音频放大电路中，承担信号钳位、静电泄放和瞬态电压抑制等功能。
　　在工业控制领域，DF005S-T可用于PLC输入输出模块的信号调理电路，起到电平隔离和噪声滤除的作用。在汽车电子中，尽管其电流容量有限，但仍可用于低功率信号线路的整流与保护，如车载信息娱乐系统的辅助电源路径。此外，该器件还可用于LED驱动电路中的防逆流设计，防止关机后储能元件反向放电影响其他电路模块。总之，DF005S-T凭借其高频、低损、小尺寸的优势，在多种低压、低电流的模拟与数字电路中发挥着关键作用。

DF005S-7-F, DF005S-M3/84A, PMEG3020CPD, B130WS-7-F