DEP50N06 时间：2025/5/7 15:53:44 阅读：6

DEP50N06是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的电流处理能力，广泛应用于功率转换、电机驱动、负载切换等场景。其额定电压为60V，适用于各种需要高效功率管理的应用场合。
　　DEP50N06的主要特点是能够以较低的功耗提供高效的电流控制，同时具备良好的热性能，确保在高负载条件下稳定运行。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻：1.8mΩ
　　栅极电荷：39nC
　　开关时间：典型值ton=20ns, toff=15ns
　　工作结温范围：-55°C至+175°C

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗，提高系统效率。
　　2. 高电流承载能力，支持高达50A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
　　3. 快速开关特性，可有效减少开关损耗，提升高频应用性能。
　　4. 优异的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠工作。
　　5. 小型化封装设计，便于电路板布局并节省空间。
　　6. 具备抗雪崩能力和较高的耐用性，增强器件在异常条件下的鲁棒性。

应用

DEP50N06适用于多种功率电子应用领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
　　2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
　　3. 工业设备中的负载切换与保护。
　　4. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
　　5. LED照明系统的恒流控制。
　　6. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换模块。