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DDZ9V1B-7 发布时间 时间:2025/12/26 11:19:37 查看 阅读:13

DDZ9V1B-7是一款由Diodes Incorporated生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压基准、稳压和过压保护等应用。该器件采用SOD-323(SC-76)小型表面贴装封装,适合在空间受限的高密度电路板设计中使用。DDZ9V1B-7的标称齐纳电压为9.1V,容差为±5%,能够在低功耗条件下提供稳定的参考电压。其额定功率为200mW,适用于低电流稳压场景。该齐纳二极管具有良好的温度稳定性和快速响应特性,能够有效抑制瞬态电压波动,保护后续电路免受高压冲击。由于其小尺寸和高可靠性,DDZ9V1B-7广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、消费类电子产品以及工业控制电路中。

参数

型号:DDZ9V1B-7
  制造商:Diodes Incorporated
  封装/包装:SOD-323(SC-76)
  齐纳电压(Vz):9.1V
  电压容差:±5%
  测试电流(Iz):5mA
  最大齐纳阻抗(Zzt):20Ω
  额定功率(Pd):200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C
  极性:单向齐纳

特性

DDZ9V1B-7齐纳二极管具备优异的电压调节性能和热稳定性,能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出。其标称电压为9.1V,在5mA的测试电流下表现出较低的动态阻抗(最大20Ω),确保了在负载变化时仍能维持较小的电压波动,从而提高系统的精度与可靠性。该器件的±5%电压容差在同类产品中属于较高精度等级,适用于对电压基准要求较高的模拟电路和反馈控制系统。采用SOD-323封装,体积小巧,仅占用极少的PCB面积,非常适合用于智能手机、可穿戴设备、物联网节点等紧凑型电子产品中。该封装还具备良好的散热性能和机械强度,能够在回流焊工艺中保持稳定,不易发生虚焊或脱落。DDZ9V1B-7的工作结温可达150°C,使其可在高温环境下长期稳定运行,满足工业级应用需求。此外,其低泄漏电流特性在反向截止状态下能够有效减少功耗,提升整体能效。该器件经过严格的可靠性验证,符合RoHS环保标准,并通过AEC-Q101车规级认证的部分测试项目,可用于汽车电子中的辅助电源稳压或信号调理电路。其快速响应能力也可用于抑制ESD或瞬态电压干扰,作为初级保护元件与其他TVS器件配合使用,增强系统抗干扰能力。
  DDZ9V1B-7的制造工艺采用先进的扩散技术与金属化处理,确保每批次产品的参数一致性与长期稳定性。其内部结构优化减少了寄生电感与电容效应,提升了高频下的响应性能。在实际应用中,常被用作运算放大器的钳位保护、ADC参考电压源、LDO反馈网络中的分压基准等场景。由于其较低的额定功率(200mW),建议在使用时合理设计限流电阻,避免长时间过载导致热击穿。同时,可通过并联多个相同型号的齐纳二极管来提高功率承受能力,但需注意均流问题。总体而言,DDZ9V1B-7是一款性价比高、性能稳定的低压齐纳二极管,适用于多种中低端稳压与保护场合,尤其适合自动化贴片生产,有助于提升生产效率与产品一致性。

应用

广泛应用于便携式电子设备中的电压基准与稳压电路;用于电源管理单元中的过压保护和电压钳位;在消费类电子产品如手机、平板、耳机充电盒中提供稳定的参考电压;适用于工业控制模块中的信号调理与保护电路;可用于汽车电子中的传感器接口电路稳压;作为数据转换器(ADC/DAC)的参考源;用于ESD防护与瞬态电压抑制辅助电路;适合自动化表面贴装生产工艺,适用于大批量电子产品制造。

替代型号

BZT52C9V1-7-F,BAS40-04LT1G,MMBZ5242BLT1

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DDZ9V1B-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)8.79V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 7V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)8 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C