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DDZ9699T-7 发布时间 时间:2025/12/26 9:53:34 查看 阅读:7

DDZ9699T-7是一款由Diodes Incorporated生产的双通道、共阴极肖特基势垒二极管阵列,采用SOT-363(SC-88)小型化封装。该器件专为在便携式电子设备和高密度印刷电路板(PCB)设计中实现高效的信号整流、电压钳位和静电放电(ESD)保护而优化。DDZ9699T-7内部集成了两个独立的肖特基二极管,共享一个公共阴极连接,适用于需要低正向压降和快速开关响应的应用场景。其结构设计有助于减少寄生电感和电阻,提升高频性能,并有效降低功耗。该器件符合RoHS环保标准,不含铅(Pb),且具备无卤素(Halogen-free)特性,适合用于对环境要求较高的工业和消费类电子产品中。由于其紧凑的封装尺寸和优异的电气性能,DDZ9699T-7广泛应用于智能手机、平板电脑、USB接口保护、LCD偏压电路、电源管理模块以及各种低电压数字逻辑电路中。此外,该器件还具有良好的热稳定性和可靠性,在连续工作条件下能够保持稳定的性能表现。

参数

类型:双通道共阴极肖特基二极管
  封装/包装:SOT-363(SC-88)
  是否无铅:是
  是否符合RoHS:是
  通道数:2
  反向重复电压(VRRM):30V
  最大正向电流(IF):300mA
  峰值脉冲电流(IFSM):500mA
  正向压降(VF):典型值420mV @ 100mA
  反向漏电流(IR):最大值1μA @ 25°C
  结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):约350°C/W

特性

DDZ9699T-7的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构使得二极管具有非常低的正向导通压降,通常在420mV左右(@100mA),远低于传统PN结二极管的0.7V门槛电压。这一特性显著降低了功率损耗,提高了系统整体效率,尤其适用于电池供电设备中以延长续航时间。同时,由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此具备极快的反向恢复速度,反向恢复时间(trr)可低至几纳秒级别,使其非常适合用于高频开关应用,如DC-DC转换器中的续流或隔离二极管。
  该器件的共阴极配置允许两个阳极分别连接到不同的信号线,而共用一个阴极接地,常用于差分信号路径的ESD保护或双路电压钳位电路中。例如,在I/O端口或多通道数据线上,它可以有效将瞬态过电压引导至地,防止后级敏感IC受损。其30V的反向重复电压(VRRM)足以应对大多数低压系统的浪涌和感应电压冲击。此外,器件的最大平均正向电流可达300mA,支持持续负载下的稳定运行,而500mA的峰值脉冲电流能力则增强了其在瞬态事件中的耐受性。
  SOT-363封装仅有六个引脚,尺寸小巧(约2.0mm × 1.25mm × 0.95mm),极大节省了PCB空间,适合高集成度设计需求。其热阻抗约为350°C/W,在自然对流环境下仍能维持良好的散热性能。结温范围从-55°C到+150°C,表明其不仅能在极端低温下正常启动,也能在高温环境中长期可靠工作,适用于工业级应用环境。制造工艺上,DDZ9699T-7采用先进的晶圆级加工技术和可靠的键合工艺,确保批次一致性与长期稳定性。

应用

DDZ9699T-7广泛应用于多种电子系统中,主要用于信号整流、输入保护、电压钳位和静电放电(ESD)防护。常见应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机和平板电脑中的USB接口、音频插孔、触摸屏控制器等外设接口的ESD保护电路;在LCD驱动器或OLED显示模块中,用于偏置电压的整流与反向隔离;在低电压DC-DC转换器中作为续流二极管使用,利用其低正向压降提高电源转换效率;还可用于数字逻辑电路中防止电压过冲或反接导致的损坏。此外,该器件也适用于工业传感器模块、通信接口(如I2C、SPI总线)的信号完整性保护,以及各类电池管理系统(BMS)中的电压监测节点。其小型封装和高性能特性使其成为现代高密度PCB设计的理想选择。

替代型号

DMG2302U,MCP742

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DDZ9699T-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)12V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 9.1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大150mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商设备封装SOD-523
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C