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DDZ9699-7 发布时间 时间:2025/12/26 8:49:02 查看 阅读:17

DDZ9699-7是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管,采用双共阴极配置,封装形式为SOT-762(也称为SOD-723),适用于空间受限的便携式电子设备。该器件设计用于高频开关应用,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,能够有效提升电源转换效率并减少功率损耗。DDZ9699-7广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电电路以及信号整流等场景。其小型化封装不仅节省PCB布局空间,还具备良好的热稳定性和电气性能,适合自动化贴片生产流程。该器件符合RoHS环保标准,并通过了无卤素认证,适用于对环境友好要求较高的电子产品制造。工作温度范围通常为-55°C至+125°C,确保在严苛环境下仍能保持可靠运行。

参数

类型:肖特基二极管
  配置:双共阴极
  最大重复反向电压(VRRM):40V
  最大直流阻断电压(VR):40V
  最大正向平均电流(IF(AV)):300mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):1A
  最大正向电压(VF):500mV @ 300mA
  最大反向漏电流(IR):10μA @ 25°C
  反向恢复时间(trr):<1ns
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  封装/包:SOT-762 (SOD-723)
  安装类型:表面贴装
  通道数:2
  极性:双共阴极

特性

DDZ9699-7的核心优势在于其采用了先进的硅肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,典型值仅为450mV,在300mA的工作电流下可显著降低功耗,提高系统整体能效。这种低VF特性特别适用于低压大电流的电源转换场合,如移动设备中的同步整流电路,有助于延长电池续航时间。此外,由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应,因此具备近乎瞬时的反向恢复能力,其反向恢复时间小于1纳秒,远优于传统PN结二极管,极大地减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI),提升了高频工作的稳定性。
  该器件采用双共阴极结构,即两个阳极共享一个公共阴极,这种拓扑常用于同步整流或双路输出电源中,简化了电路布局并减少了元件数量。SOT-762超小型表面贴装封装使其占用PCB面积极小,典型尺寸约为1.2mm x 0.8mm x 0.5mm,非常适合高密度集成设计。尽管体积微小,但其热性能经过优化,能够在有限散热条件下持续工作于额定电流范围内。器件的可靠性经过严格测试,包括高温反偏(HTRB)、温度循环和高湿存储等实验,确保长期使用的稳定性。所有材料均符合IEC 61249-2-21标准的无卤素要求,并且不含铅,满足现代绿色电子产品的制造规范。

应用

DDZ9699-7主要用于便携式消费类电子产品中的电源管理和信号处理电路。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的低压DC-DC转换器,作为续流二极管或防倒灌二极管使用;在电池充放电管理单元中,用于防止电流回流,保护电源路径;也可应用于USB供电接口、LDO稳压器输出端的隔离、LED背光驱动电路中的电流导向等。由于其快速响应特性,也适用于高频开关电源中的同步整流辅助二极管,与MOSFET配合实现高效能量传递。此外,在通信模块、传感器供电电路及小型物联网终端设备中,该器件凭借其小尺寸和高性能,成为理想的整流与保护元件选择。工业级温度范围支持其在较恶劣环境下的应用,例如汽车电子外围电路或工业手持设备中。

替代型号

DDZ9699W-7-F

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DDZ9699-7参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)12V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 9.1V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称DDZ9699DIDKR