类型：双串联肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1A
　　最大正向压降（VF）：450mV @ 150mA, 典型值；600mV @ 300mA, 最大值
　　最大反向漏电流（IR）：100μA @ 25°C, VR=30V
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SOD-323
　　极性：双串联（Common Cathode）

DDZ9694S-7的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关性能的结合，这是由其肖特基势垒结构决定的。传统的PN结二极管在导通时会产生约0.6V~0.7V的压降，而DDZ9694S-7在150mA电流下典型压降仅为450mV，显著降低了导通损耗，提升了整体能效。这对于电池供电设备尤为重要，因为它可以直接延长续航时间并减少发热问题。同时，由于没有少数载流子的积累效应，该器件的反向恢复时间非常短，远低于普通整流二极管，避免了高频开关过程中因反向恢复引起的尖峰电压和能量损耗，从而提高了系统的电磁兼容性和稳定性。
　　该器件采用SOD-323封装，体积小巧，尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm，适合高密度贴装的应用场景，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的产品中。其双串联共阴极结构允许在需要两个串联二极管的电路中节省布板面积，例如用于多级电压箝位或冗余保护路径的设计。此外，这种结构也便于构建简单的OR-ing电路或电平移位网络。
　　DDZ9694S-7具备良好的热性能，能够在+125°C的结温下持续运行，确保在高温环境下仍保持可靠工作。其反向漏电流在室温下控制在100μA以内，虽然随着温度升高会有所增加，但在大多数低压应用中仍处于可接受范围。该器件还通过了JEDEC标准的可靠性测试，包括高温反向偏置寿命试验（HTRB）、温度循环试验（TC）和高压蒸煮试验（PCT），表现出优异的长期稳定性与抗环境应力能力。
　　在制造工艺方面，Diodes Incorporated采用了先进的晶圆级金属沉积技术，确保肖特基接触的一致性和均匀性，从而提高批次间的参数一致性。这使得DDZ9694S-7在大规模自动化生产中具有更高的良率和更稳定的电气性能表现。总体而言，该器件是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高性能小信号肖特基二极管，适用于对效率和空间有严格要求的现代电子系统。

DDZ9694S-7广泛应用于各类便携式电子设备和低电压数字电路中。常见用途包括DC-DC转换器中的续流二极管或同步整流辅助二极管，用于防止电感反电动势损坏开关管并提升转换效率。在电池管理系统中，它可用于防止反向充电或实现多电源输入的选择逻辑（Power OR-ing）。由于其低VF特性，特别适合用于3.3V或5V电源轨的隔离与保护，例如在微控制器、FPGA或传感器供电路径中作为防倒灌二极管使用。
　　在通信接口电路中，DDZ9694S-7可用于USB、I2C、UART等信号线的静电放电（ESD）保护和电压箝位，限制瞬态过压对敏感IC造成损害。其快速响应能力能够有效抑制高频噪声和瞬态干扰，增强系统鲁棒性。此外，在射频前端模块或无线收发器中，也可用作信号检波或包络检测元件，得益于其非线性伏安特性和低开启电压。
　　在消费类电子产品如手机、耳机、智能手表中，该器件常用于LED背光驱动电路、触摸屏电源控制、无线充电接收端的整流单元等。其SOD-323封装易于实现自动化贴片，适应现代SMT生产工艺，有助于降低生产成本并提高组装效率。工业控制领域的小功率电源适配器、PLC模块、传感器节点等也常采用此类小型肖特基二极管进行局部电源管理与信号调理。

[
　　 "BAS40-04W",
　　 "PMDS390"
　　]