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DDZ8V2B-7 发布时间 时间:2025/12/26 9:55:18 查看 阅读:23

DDZ8V2B-7 是一种表面贴装的齐纳二极管(Zener Diode),由台湾半导体公司(Diodes Incorporated)生产。该器件主要用于电压调节、参考电压生成以及电路保护等应用。其标称齐纳电压为8.2V,在额定电流条件下能够提供稳定的反向击穿电压,适用于需要精确电压钳位或稳压功能的小功率电子系统中。DDZ8V2B-7采用SOD-323封装,具有体积小、响应速度快、可靠性高等优点,特别适合在空间受限的便携式电子产品中使用,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及各类消费类电子模块。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的温度稳定性和长期工作稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。其低功耗特性和快速动态响应能力使其在信号电平转换、电源监控和过压保护电路中表现出色。

参数

类型:齐纳二极管
  封装/外壳:SOD-323
  齐纳电压 Vz:8.2V @ Iz = 5mA
  容差:±2%
  最大耗散功率:200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  温度系数:+4.0 mV/°C(典型值)
  测试电流 Iz:5mA
  最大峰值脉冲电流:未指定
  反向漏电流 Ir:< 1μA @ VR = 1V

特性

DDZ8V2B-7 的核心特性之一是其高精度的电压调节能力。该齐纳二极管在标准测试条件下的标称齐纳电压为8.2V,容差仅为±2%,确保了在精密模拟电路或数字逻辑接口中作为参考源时的高度一致性与可靠性。这一精度水平显著优于普通±5%容差的产品,能够在对电压敏感的应用中减少系统误差,提升整体性能。
  其次,该器件采用SOD-323小型表面贴装封装,尺寸紧凑,典型外形仅为1.7mm × 1.25mm × 1.1mm,非常适合高密度PCB布局设计。这种封装不仅节省空间,还具备良好的热传导性能和机械强度,有助于提高自动化贴片效率并增强产品在振动或冲击环境下的可靠性。
  DDZ8V2B-7 具备出色的温度稳定性,其正温度系数约为+4.0 mV/°C,在宽温度范围内能维持相对稳定的击穿电压变化趋势。虽然齐纳二极管通常具有正温度系数,但该数值经过优化设计,便于在需要温度补偿的电路中与其他负温度系数元件配合使用,从而实现更精准的温漂控制。
  此外,该器件的最大功耗为200mW,适用于低至中等功率的稳压场景。在正常工作条件下,只要结温不超过150°C,即可长期稳定运行。其反向漏电流极低(小于1μA @ 1V),在待机或低功耗模式下几乎不会引入额外的静态损耗,有利于延长电池供电设备的续航时间。
  最后,DDZ8V2B-7 符合国际环保标准,无铅且符合RoHS指令要求,支持绿色制造流程。其高可靠性和一致性使其广泛应用于工业控制、通信模块、传感器接口和消费类电子产品中。

应用

DDZ8V2B-7 常用于需要稳定参考电压或进行电压钳位的电路中。典型应用场景包括电源管理单元中的过压保护、ADC或DAC电路的基准电压源、逻辑电平转换器中的电压限制、以及各类模拟前端信号调理电路。由于其响应速度快且体积小巧,也常被用于便携式电子设备如手机、耳机、智能手表等内部的子电源轨稳压。此外,在工业传感器信号调理模块中,该器件可用于提供稳定的偏置电压或防止瞬态高压损坏敏感IC。其高精度和良好温度特性也使其适用于测量仪器和数据采集系统中作为局部稳压元件。

替代型号

[
   "MMBZ8V2B,LT1054CS7-5#TRPBF"
  ]

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DDZ8V2B-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)7.99V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 6.5V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)8 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C