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DDZ11B-7 发布时间 时间:2025/12/26 11:41:39 查看 阅读:12

DDZ11B-7是一种硅材料制成的小信号二极管,常用于高频开关和整流应用。该器件采用SOD-323封装,具有较小的体积和较高的可靠性,适用于便携式电子设备和高密度电路板设计。DDZ11B-7属于齐纳二极管类别,主要用于电压参考、电压钳位以及过压保护等场景。其额定齐纳电压在标称值附近具有较窄的容差范围,确保输出电压的稳定性。该器件工作温度范围较宽,适合工业级应用环境,并且符合RoHS环保要求,无铅且不含有害物质。由于其快速响应特性和低动态电阻,DDZ11B-7在模拟和数字电路中均有广泛应用。

参数

类型:齐纳二极管
  封装:SOD-323
  齐纳电压(Vz):5.6V @ Iz = 5mA
  齐纳电压容差:±5%
  最大耗散功率:200mW
  测试电流(Iz):5mA
  最大齐纳阻抗(Zzt):10Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  反向漏电流(Ir):< 1μA @ VR = 1V

特性

DDZ11B-7齐纳二极管具备优异的电压稳定性能,其核心特性之一是在指定工作电流下提供精确且稳定的齐纳击穿电压。该器件的标称齐纳电压为5.6V,在5mA测试电流条件下表现出良好的电压调节能力,同时具备±5%的电压容差,能够在多种电源管理与参考电压生成场合中实现高精度控制。其低动态阻抗(最大10Ω)意味着在负载变化时电压波动极小,提升了系统的稳定性。
  该器件采用SOD-323小型表面贴装封装,极大节省了PCB空间,非常适合现代紧凑型电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端的应用需求。热性能方面,尽管封装尺寸小,但通过优化内部结构设计,使其能有效散热,支持最高200mW的连续功率耗散。
  DDZ11B-7具有良好的温度稳定性,工作结温可达+150°C,可在严苛环境下长期可靠运行。此外,其快速响应速度使其不仅可用于稳压,还可用于瞬态电压抑制和信号电平钳位。由于5.6V齐纳电压点接近硅材料的最佳温度系数平衡点,因此在此电压下温度漂移最小,进一步增强了其作为精密参考源的适用性。
  该器件符合国际环保标准,为无铅产品,支持回流焊工艺,便于自动化生产装配。整体上,DDZ11B-7凭借其高精度、小尺寸、良好热稳定性和广泛适用性,成为众多电子系统中不可或缺的基础元件之一。

应用

DDZ11B-7广泛应用于需要稳定参考电压或进行电压钳位的电子电路中。常见用途包括电源管理系统中的电压基准源,特别是在低压直流供电环境中为比较器、运算放大器或ADC/DAC提供精准参考。在嵌入式系统和微控制器单元(MCU)外围电路中,该器件可用于I/O端口的静电放电(ESD)保护和信号电平限制,防止因过压导致芯片损坏。
  在通信设备中,DDZ11B-7可用于高频信号线路的瞬态抑制,保护敏感射频组件免受电压尖峰影响。此外,它也常被用作反馈回路中的稳压元件,在开关电源(SMPS)或线性稳压器中维持输出电压的恒定。
  消费类电子产品如手机、耳机、智能手表等内部电路板上,该器件因其小型化优势而被大量采用,用于电池电压监测、充电管理模块的电压限幅以及传感器供电的稳压处理。工业控制系统中,DDZ11B-7可用于PLC输入接口的信号调理电路,提升系统抗干扰能力。
  在汽车电子领域,虽然非车规级版本不适用于极端环境,但在车载信息娱乐系统或辅助电子模块中仍可发挥其电压保护功能。总体而言,该器件适用于所有需要低成本、高可靠性和精确电压控制的中小功率应用场景。

替代型号

BZX84-C5V6
  MMSZ5232B
  1N4734A
  ZMM5V6

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DDZ11B-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)10.78V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8.4V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C