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DDZ10C-7 发布时间 时间:2025/12/26 9:40:30 查看 阅读:18

DDZ10C-7是一种表面贴装的齐纳二极管,常用于电压参考和稳压应用。该器件采用SOD-323封装,具有体积小、可靠性高的特点,适用于现代电子产品中的紧凑型设计需求。齐纳二极管在反向击穿区工作时能提供稳定的参考电压,因此被广泛应用于电源管理、信号调节以及电路保护等领域。DDZ10C-7的标称齐纳电压为10V,在规定的电流条件下能够保持较低的动态阻抗和良好的温度稳定性。该器件由多家半导体制造商生产,符合工业标准的环保要求(如无铅、符合RoHS指令),适合自动化贴片生产工艺。
  DDZ10C-7的工作原理基于齐纳效应和雪崩击穿机制的结合,具体以哪种机制为主取决于其击穿电压的大小。对于10V左右的齐纳电压,通常以雪崩击穿为主,这使得其温度系数接近零,从而提升了电压稳定性和温度适应性。此外,该器件具有快速响应能力,能够在瞬态电压波动中迅速维持输出电压的稳定,是精密模拟电路中常用的基准元件之一。

参数

类型:齐纳二极管
  封装/包装:SOD-323
  齐纳电压(Vz):10V @ 5mA
  容差:±5%
  最大耗散功率:200mW
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C
  正向电压(Vf):典型值1.2V @ 10mA
  测试电流(Iz):5mA
  最大反向电流(Ir):5μA @ VR = 8V

特性

DDZ10C-7齐纳二极管具备出色的电压稳定性能,其核心特性在于能够在宽温度范围内维持精确的参考电压输出。该器件的齐纳电压标称为10V,在5mA的测试电流下具有±5%的容差控制,确保了批次间的一致性和可预测性。由于其采用了先进的半导体制造工艺,该器件在长期运行中表现出优异的参数稳定性,老化效应极小,适合对长期可靠性要求较高的应用场景。其SOD-323小型化封装不仅节省PCB空间,还具备良好的热传导性能,有助于在高密度布局中实现有效散热。
  该器件的温度系数经过优化设计,在10V附近工作时接近零温度系数点,这意味着其电压随温度变化的漂移非常小,显著优于低电压或高电压齐纳二极管。这一特性使其特别适用于需要高精度电压基准的模拟电路,例如ADC/DAC参考源、传感器信号调理电路等。同时,DDZ10C-7具有较低的动态阻抗,通常在10Ω以下,意味着即使负载电流发生微小变化,也能维持输出电压的高度稳定。此外,其快速的响应时间使其能够有效抑制高频噪声和瞬态干扰,提升系统的抗干扰能力。
  DDZ10C-7符合国际环保标准,采用无铅端子和符合RoHS的材料体系,支持回流焊和波峰焊等多种贴片工艺。其结构设计增强了机械强度和湿度抵抗能力,通过了严格的可靠性验证测试,包括高温存储、温度循环和耐湿性试验。这些特性共同保障了其在消费电子、工业控制、汽车电子及通信设备中的广泛应用前景。

应用

DDZ10C-7主要用于需要稳定电压参考的电子电路中,典型应用包括电源稳压电路、电压基准源、过压保护电路、信号电平转换以及运算放大器偏置电路。它也常用于替代分立晶体管稳压方案,简化设计并提高精度。在便携式设备、嵌入式系统和传感器接口电路中,该器件因其小尺寸和高性能而备受青睐。

替代型号

MMBZ5240-7-F
  BZT52C10-7-F
  PMEZ10,115

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DDZ10C-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)10V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V
  • 容差±3%
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)8 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123
  • 供应商设备封装SOD-123
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C