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DDTC115TE-7-F 发布时间 时间:2025/5/7 22:51:16 查看 阅读:14

DDTC115TE-7-F是一款高性能的双极性晶体管(Bipolar Transistor),专为高频开关和信号放大应用设计。该器件采用了先进的制造工艺,确保了出色的电气性能和可靠性。其封装形式为SOT-23,具有小型化、低功耗以及高散热效率的特点,适用于对空间和能耗要求较高的电子设备中。

参数

集电极-发射极电压:40V
  集电极电流:150mA
  功率耗散:350mW
  过渡频率:800MHz
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

DDTC115TE-7-F晶体管具备以下特点:
  1. 高增益:能够提供卓越的信号放大能力,适合多种音频和射频应用场景。
  2. 低噪声:在高频条件下仍能保持较低的噪声水平,确保信号传输的纯净度。
  3. 快速开关:由于其高过渡频率,非常适合用于高速数字电路中的开关操作。
  4. 稳定性好:即使在极端温度条件下,也能保持稳定的电气性能。
  5. 小型化封装:SOT-23封装使其成为紧凑型设计的理想选择,同时降低了整体系统的体积和重量。

应用

这款晶体管广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 射频模块:如无线通信系统中的信号放大与调制解调。
  2. 音频设备:例如耳机放大器、音响前置放大器等。
  3. 开关电路:适用于DC-DC转换器、PWM控制器以及其他需要快速开关的应用。
  4. 检测电路:用于传感器信号的调理和放大。
  5. 工业控制:如PLC模块中的信号处理部分。

替代型号

MMBT3904LT1G, 2N3904, BC847B

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DDTC115TE-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)100k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 100µA,1mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-523
  • 供应商设备封装SOT-523
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DDTC115TE-FDITR