您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > DDTC115ECA-7-F

DDTC115ECA-7-F 发布时间 时间:2025/12/26 9:25:03 查看 阅读:12

DDTC115ECA-7-F是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),属于数字晶体管(Digital Transistor)系列。该器件集成了一个内置的基极-发射极电阻,通常用于简化电路设计并提高开关应用中的稳定性。DDTC115ECA-7-F采用SOT-23(SC-59)小型表面贴装封装,适用于高密度印刷电路板布局,广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制领域。该器件具有良好的开关特性和较高的可靠性,适合在紧凑空间内实现高效的信号切换或逻辑控制功能。其集成的电阻网络减少了外部元件数量,从而降低了整体系统成本并提高了装配效率。此外,该型号为卷带包装(Tape and Reel),适合自动化贴片生产流程,符合现代电子制造的需求。

参数

类型:NPN 数字晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(Pd):200mW
  直流增益(hFE):典型值 82,范围 68~107(测试条件 IC = 2mA, VCE = 5V)
  开关时间:开启时间(ton)约 28ns,关闭时间(toff)约 45ns
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  基极电阻(R1):47kΩ(内部集成)
  发射极电阻(R2):未集成(开路)
  封装类型:SOT-23 (SC-59)
  安装方式:表面贴装(SMD)

特性

DDTC115ECA-7-F作为一款高性能数字晶体管,其最显著的特点是集成了一个47kΩ的基极串联电阻,这使得它在直接驱动逻辑信号时无需额外添加外部基极限流电阻,从而大幅简化了电路设计并节省了PCB空间。这种结构特别适用于微控制器输出端口与负载之间的接口电路,例如LED驱动、继电器控制或逻辑电平转换等应用场景。由于其内部电阻的存在,能够有效限制基极电流,防止因过大的输入电压导致晶体管损坏,提升了系统的稳定性和可靠性。该器件具备快速的开关响应能力,开启时间约为28纳秒,关闭时间约为45纳秒,使其能够在高频开关操作中保持高效性能,适用于需要频繁通断控制的应用场合。其最大集电极电流为100mA,足以驱动大多数低功率负载,同时50V的集电极-发射极耐压满足一般低压电子系统的需求。SOT-23封装不仅体积小巧,还具备良好的热传导性能,在正常工作条件下可有效散热,确保长期运行的稳定性。此外,该器件的工作结温可达+150°C,具备较强的环境适应能力,可在高温工业环境中可靠运行。所有材料均符合RoHS环保标准,并通过了无铅认证,支持绿色环保制造要求。该产品在出厂前经过严格的电气测试和质量筛选,保证批次一致性,适用于大规模自动化生产。
  

应用

DDTC115ECA-7-F常用于各类需要小型化、高集成度开关功能的电子设备中。典型应用包括移动通信设备中的信号切换电路、便携式消费电子产品如智能手机和平板电脑中的LED背光驱动或电源管理模块、家用电器中的控制面板按键检测电路以及工业传感器信号调理单元。在微控制器I/O扩展应用中,它可以作为缓冲器增强驱动能力,用以控制蜂鸣器、小型继电器或指示灯。此外,由于其具备良好的噪声抑制能力和稳定的开关特性,也被广泛应用于数字逻辑接口电路中,实现不同电压域之间的电平转换与隔离。在汽车电子系统中,该器件可用于车身控制模块中的灯光控制或开关状态反馈回路,得益于其宽温工作范围和高可靠性,能够在恶劣环境下稳定运行。另外,在电源管理系统中,可用于实现负载开关或状态指示功能,帮助降低待机功耗。其小型封装也使其成为可穿戴设备和物联网终端设备的理想选择,满足对尺寸和功耗的严苛要求。

替代型号

MMBT3904, DTC114EKA, DTC124EKA, FMMT210, BC847B

DDTC115ECA-7-F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

DDTC115ECA-7-F资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

DDTC115ECA-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)100k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)100k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)82 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DDTC115ECA-FDITR