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DDTC114YE-7-F 发布时间 时间:2025/5/30 17:49:48 查看 阅读:7

DDTC114YE-7-F 是一款高性能的双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),适用于高频开关和线性放大应用。该型号属于 NPN 类型晶体管,具有低噪声、高增益以及快速开关能力的特点。它广泛应用于通信设备、射频电路以及功率放大器等领域。

参数

集电极-发射极电压(Vce):70V
  集电极电流(Ic):3A
  直流电流增益(hFE):80~400
  过渡频率(fT):250MHz
  功耗(Ptot):65W
  结温范围(Tj):-55℃~150℃
  封装类型:TO-126

特性

DDTC114YE-7-F 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压,使其能够承受较高的工作电压。
  2. 大电流处理能力,适合驱动负载或用于功率放大。
  3. 快速切换性能,使其适用于高频应用场景。
  4. 低噪声设计,保证在信号放大过程中提供更高的信噪比。
  5. 宽温度范围适应能力,能够在极端环境下保持稳定运行。
  6. 封装形式坚固耐用,具备良好的散热性能。

应用

该晶体管适用于以下场景:
  1. 高频开关电源及 DC-DC 转换器中的开关元件。
  2. 射频信号放大器,如无线通信设备中的中功率放大级。
  3. 工业控制领域的功率驱动电路。
  4. 音频放大器中的前置或中间级放大器件。
  5. 继电器驱动及电机控制等需要大电流输出的应用。
  6. 各类电子设备中的保护电路和稳压电路。

替代型号

DDTC114YD-7-F, MJE183, 2SC3923

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DDTC114YE-7-F参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-523
  • 供应商设备封装SOT-523
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DDTC114YE-FDITR