DD60GB80 时间：2025/9/3 23:05:26 阅读：9

DD60GB80是一款高性能、大功率的双极性晶体管（BJT），常用于高电压和高电流的应用场合。该晶体管具有优良的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、电源转换和电机驱动等领域。其封装形式为TO-247，便于散热和安装。

参数

类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：800V
　　最大集电极电流（Ic）：60A
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　集电极-基极电压（Vcbo）：1400V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　电流增益（hFE）：典型值为12-80（取决于工作电流）
　　过渡频率（fT）：5MHz
　　饱和压降（Vce_sat）：典型值为1.1V（在Ic=60A时）

特性

DD60GB80晶体管具备多项优异的电气和热性能，能够满足高功率和高可靠性的应用需求。首先，其高达800V的集电极-发射极击穿电压使其适用于高电压环境，同时60A的最大集电极电流确保其在大电流条件下稳定运行。此外，该器件的300W最大功耗支持其在高功率密度设计中的应用。
　　DD60GB80采用了先进的硅技术，提供了良好的线性放大性能和较低的饱和压降，减少了功率损耗并提高了系统效率。其TO-247封装形式具有优良的散热能力，有助于维持晶体管在高负载条件下的稳定运行温度。
　　该晶体管还具备良好的短路和过载保护能力，能够在苛刻的工作条件下保持较高的可靠性。其电流增益范围较宽，适应不同应用对增益的需求。此外，DD60GB80具备较低的开关损耗，适合高频开关应用。