型号：DD28F032SA100
　　制造商：Intel
　　存储容量：32 Mbit (4 MB)
　　架构类型：StrataFlash
　　接口类型：并行（16位）
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP-48 或 FBGA-48
　　访问时间：100ns
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：按扇区/块擦除
　　数据保持时间：>20年
　　耐久性：>100,000 次擦写周期
　　兼容标准：JEDEC CFI（Common Flash Interface）

DD28F032SA100采用Intel专有的StrataFlash技术，该技术通过允许多位存储于单个存储单元中来提高存储密度，同时维持相对较低的成本。这种多层单元（MLC）结构使得该芯片在相同物理尺寸下能够实现更高的数据存储能力，相比传统的NOR Flash产品更具优势。芯片内部集成了智能算法以管理编程和擦除过程中的电压调节与时序控制，从而确保操作的准确性与一致性。其内置的状态机可以自动完成复杂的编程流程，用户只需发送标准命令序列即可完成写入或擦除动作，大大简化了外部控制器的软件负担。
　　该器件支持“执行就地”（Execute-In-Place, XIP）功能，允许处理器直接从闪存中读取并执行代码，无需将程序加载到RAM中，这不仅节省了系统内存资源，也加快了启动速度和响应时间。为了增强数据安全性，DD28F032SA100提供了多种软件保护模式，包括全局锁定、扇区锁定及临时保护等，有效防止因误操作或恶意攻击导致的关键数据丢失或损坏。此外，芯片符合JEDEC通用闪存接口（CFI）标准，能够被主流操作系统和引导程序自动识别配置参数，提升了系统的兼容性与可移植性。
　　在可靠性方面，该芯片经过严格测试，可在工业级温度范围内长期稳定工作，适用于通信设备、网络路由器、工业控制模块、医疗仪器和车载电子等多种严苛应用场景。其低功耗待机模式也有助于延长电池供电设备的工作时间。尽管随着技术发展，串行闪存（如SPI NOR Flash）逐渐成为主流，但DD28F032SA100凭借其高带宽并行接口，仍在某些对读取性能要求较高的旧有系统或特定领域中保有重要地位。

DD28F032SA100主要用于需要高性能、高可靠性非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括网络通信设备中的固件存储，例如路由器、交换机和防火墙等，这些设备依赖于快速启动和稳定的代码执行环境，而该芯片的XIP能力和高速读取特性恰好满足此类需求。在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU），该芯片被用来存储操作系统映像、用户程序和配置参数，确保断电后信息不丢失且能迅速恢复运行。
　　此外，该芯片也广泛应用于电信基础设施设备，如基站控制器和光传输模块，用于存放启动引导程序（Bootloader）和诊断软件。在医疗电子设备中，如监护仪、超声成像系统和便携式检测仪器，DD28F032SA100可用于保存校准数据、设备日志和操作界面资源，保障设备在各种环境下稳定运行。由于其具备良好的温度适应性和抗干扰能力，也被用于部分军用和航空航天领域的加固型计算平台中。
　　在消费类高端设备中，如数字机顶盒、智能电视主控板和工业级PDA，该芯片同样发挥着重要作用。特别是在一些需要本地存储大量只读资源（如图形界面、语音提示文件）并支持现场升级的应用中，其大容量和可重复擦写特性展现出明显优势。虽然近年来逐渐被更小封装、更低功耗的串行闪存替代，但在原有设计尚未更新的系统中，DD28F032SA100仍是一种可靠的选择。

S29GL032N90TFIR4
　　MT28EW032ADA-100 E:G8