容量：1.5 pF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：50 V
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C

DD1B030BA1R500 采用C0G（NP0）介质材料，具有优异的温度稳定性，其电容值在温度变化时保持高度稳定，温度系数为0ppm/°C。该电容器的容差极小（±0.1 pF），适用于对精度要求极高的射频（RF）电路和高频滤波器设计。此外，该电容器具有低ESR（等效串联电阻）和低ESL（等效串联电感），能够在高频下保持良好的性能。其封装尺寸为0402，适用于高密度PCB布局，并符合RoHS环保标准。
　　该器件还具有良好的耐压性能，额定电压为50V，适用于中高压电路中的信号耦合和滤波应用。其陶瓷介质具有高绝缘电阻和低漏电流特性，确保在高温和高湿环境下仍能稳定工作。此外，DD1B030BA1R500 的结构设计使其具有较强的抗机械应力能力，适合自动化贴片工艺和回流焊制程。

DD1B030BA1R500 多层陶瓷电容器适用于多种高频电子电路，如射频放大器、滤波器、振荡器和混频器等。在无线通信设备中，该电容器常用于天线匹配网络、LC调谐电路以及高频信号路径中的去耦和滤波。在工业控制设备中，它可用于高精度模拟信号处理电路中的耦合和滤波。此外，在汽车电子系统中，如车载通信模块、雷达系统和传感器接口电路中，该电容器也能提供稳定的性能。由于其高稳定性和小尺寸，DD1B030BA1R500 也广泛用于便携式电子设备，如智能手机、无线耳机和可穿戴设备中的射频前端模块。

GRM0335C1H1R5BB01D
　　CC0402KRX5R4BB1R5
　　C1005C0G1H1R5T