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DCX56-13 发布时间 时间:2025/12/26 11:19:20 查看 阅读:18

DCX56-13是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管阵列器件,集成了多个晶体管单元,常用于信号放大、开关控制以及通用模拟和数字电路应用中。该器件采用SOT-23-6小型封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子设备、通信模块、电源管理电路及嵌入式系统中。DCX56-13内部结构通常包含两个NPN或PNP晶体管,具备良好的匹配特性与热稳定性,能够有效提升电路性能并减少外围元件数量。其设计注重功耗优化,在低电流工作条件下仍能保持较高的增益和响应速度,适用于高频开关和小信号处理场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。由于其紧凑的封装形式和可靠的电气特性,DCX56-13在消费类电子、工业控制、传感器接口等领域具有广泛应用前景。

参数

型号:DCX56-13
  制造商:Diodes Incorporated
  器件类型:双极性晶体管阵列
  晶体管配置:双NPN
  封装类型:SOT-23-6
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  直流电流增益(hFE):100 - 600(典型值200)
  过渡频率(fT):200MHz
  最大功耗(PD):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  引脚数:6
  是否无铅:是
  是否符合RoHS:是

特性

DCX56-13的核心优势在于其高度集成的双NPN晶体管结构,能够在单一SOT-23-6封装内实现两个独立但特性匹配的晶体管单元,从而显著节省印刷电路板空间,并提高系统集成度。这种设计特别适用于需要对称电路布局的应用,例如差分放大器、推挽输出级或互补驱动电路。每个晶体管均具备高达50V的集电极-发射极击穿电压,确保在中等电压环境下稳定运行,同时支持最高100mA的连续集电极电流,足以应对大多数低功率信号切换和驱动任务。其直流电流增益范围宽广(100至600),使得用户可以在不同增益需求下灵活选择工作点,而典型的200倍增益值保证了良好的信号放大能力。
  该器件的过渡频率达到200MHz,表明其具备出色的高频响应特性,适合用于高频开关应用或射频前端的小信号处理环节。在高速数字逻辑电路中,DCX56-13可作为电平转换器或缓冲器使用,提供快速的上升和下降时间响应。此外,其最大功耗为300mW,结合SOT-23-6封装良好的散热性能,可在较宽的工作温度范围内(-55°C至+150°C)保持可靠运行,适应严苛的工业环境条件。器件的热稳定性优异,两个晶体管之间的温差小,有利于保持增益一致性,减少温度漂移带来的影响。
  DCX56-13采用符合RoHS标准的无铅材料制造,支持回流焊和波峰焊等多种表面贴装工艺,便于自动化生产。其引脚排列设计兼容行业通用标准,简化了PCB布线流程。此外,该器件具有较低的饱和压降(VCE(sat)),通常在160mV左右(IC=10mA, IB=1mA条件下),有助于降低导通损耗,提升能效表现。对于需要长时间运行的电池供电设备而言,这一特性尤为重要。总体来看,DCX56-13凭借其高集成度、优良的电气性能和稳定的可靠性,成为许多中小功率模拟与数字电路中的理想选择。

应用

DCX56-13广泛应用于各类电子系统中,尤其适合需要小型化、低功耗和高性能晶体管解决方案的设计场景。在消费类电子产品中,它常被用于LCD背光驱动、音频信号放大、按键扫描矩阵的开关控制以及微控制器I/O扩展等场合。由于其SOT-23-6封装体积小巧,非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求极为严格的便携式产品。
  在通信模块领域,DCX56-13可用于RS-232电平转换、USB信号切换或多路复用控制电路,利用其高频响应能力实现快速信号传输。在工业控制系统中,该器件可作为光电耦合器的驱动级、继电器或LED的开关控制元件,提供隔离接口所需的电流增益和电压隔离能力。此外,在传感器信号调理电路中,DCX56-13可用作前置放大器或阻抗匹配单元,将微弱的传感器输出信号进行初步放大,以便后续ADC采集处理。
  在电源管理方面,DCX56-13可用于低压LDO稳压器的使能控制、电池充放电状态指示灯驱动或负载开关的栅极驱动电路。其稳定的增益特性和良好的温度适应性使其在环境变化较大的户外设备或车载电子系统中也能可靠工作。此外,由于其双晶体管结构具有良好的匹配性,因此也适用于精密差分放大电路或镜像电流源设计,为模拟集成电路提供基础构建模块。无论是作为开关还是放大用途,DCX56-13都能在多种应用场景中提供稳定、高效的性能支持。

替代型号

MMBT3904DW1T1G
  BC847BMTF
  FMMT405TA

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DCX56-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)63 @ 150mA,2V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DCX56DITR